等离子刻蚀ICP
Minilock-PhantomIII具有预真空室的反应离子刻蚀机可适用于单个基片或带承片盘的基片(3”-300mm尺寸),为实验室和试制线生产环境提供******的刻蚀能力。它也具有多尺寸批处理功能(4x3”;3x4”;7x2”)。系统有多达七种工艺气体可以用于刻蚀各种薄膜,如氧化硅、氮化硅、多晶硅、铝、***化***、铬、铜、磷化铟和钛。该反应室还可以用于去除光刻胶和有机材料。可选配静电吸盘(E-chuck),以便更有效地在刻蚀工艺中让基片保持冷却。该E-chuck使用氦压力控制器,及在基片背面保持一个氦冷却层,从而达到控制基片温度的作用。该设备可选配一个电感耦合等离子(ICP)源,其使得用户可以创建高密度等离子,从而提高刻蚀速率和各向异性等刻蚀性能。基片通过预真空室装入。其避免与工艺室以及任意残余刻蚀副产品接触,从而提高了用户安全性。预真空室还使得工艺室始终保持在真空下,从而隔绝外部湿气,防止反应室内可能发生的腐蚀。)
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