扫描电子显微镜SEM分析

扫描电子显微镜SEM分析原理：用电子技术检测高能电子束与样品作用时产生二次电子、背散射电子、吸收电子、X射线等并放大成象。谱图的表示方法：背散射象、二次电子象、吸收电流象、元素的线分布和面分布等。提供的信息：断口形貌、表面显微结构、薄膜内部的显微结构、微区元素分析与定量元素分析等。

扫描电子显微镜SEM应用范围：

1、材料表面形貌分析，微区形貌观察

2、各种材料形状、大小、表面、断面、粒径分布分析

3、各种薄膜样品表面形貌观察、薄膜粗糙度及膜厚分析

扫描电子显微镜样品制备比透射电镜样品制备简单，不需要包埋和切片。

离子溅射镀膜原理及特点

离子溅射镀膜

原理：离子溅射镀膜是在部分真空的溅射室中辉光放电，产生正的气体离子；在阴极（靶）和阳极（试样）间电压的加速作用下，荷正电的离子轰击阴极表面，使阴极表面材料原子化；形成的中性原子，从各个方向溅出，射落到试样的表面，于是在试样表面上形成一层均匀的薄膜。

特点：对于任何待镀材料，只要能做成靶材，就可实现溅射（适合制备难蒸发材料，不易得到高纯度的化合物所对应的薄膜材料）；溅射所获得的薄膜和基片结合较好；溅射工艺可重复性好，膜厚可控制，同时可以在大面积基片上获得厚度均匀的薄膜。

二次电子探测器、X射线能谱分析仪等来区分

电子经过一系列电磁透镜成束后，打到样品上与样品相互作用，会产生二次电子、背散射电子、俄歇电子以及X射线等一系列信号。所以需要不同的探测器譬如二次电子探测器、X射线能谱分析仪等来区分这些信号以获得所需要的信息。虽然X射线信号不能用于成象，但习惯上，仍然将X射线分析系统划分到成象系统中。

有些探测器造价昂贵，比如Robins式背散射电子探测器，这时，可以使用二次电子探测器代替，但需要设定一个偏压电场以筛除二次电子。

电子束与样品作用体积(interactionvolume)的

分析特征X的方式，可分析特征X的能量分布，称为EDS，或分析特征X的波长，称为WDS。X能谱的分辨率，在EDS中约有100~200eV的分辨率，在WDS中则有5~10eV的分辨率。由于EDS的分辨率较WDS差，因此在能谱的解析上，较易产生重迭的情形。 由于电子束与样品作用的作用体积(interaction volume)的关系，特征X的产生和作用体积的大小有关，因此在平面的样品中，EDS或WDS的空间分辨率，受限于作用体积的大小。