二次电子是由于被入射电子“碰撞”而获得能量,逃出样品表面的核

二次电子是由于被入射电子“碰撞”而获得能量，逃出样品表面的核外电子，其主要特点是：

(1)能量小于50eV，较易被检测器前端的电场吸引，因而阴影效应较弱。

(2)只有样品表面很浅（约10nm）的部分激发出的二次电子才能逃出样品表面,因此二次电子像分辨率较高。

(3)二次电子的产额主要取决于样品表面局部斜率，因此二次电子像主要是形貌像。

可看成由许多不同倾斜程度的面构成的凸尖、台阶、凹坑等细节组成，这些细节的不同部位发射的二次电子数不同，从而产生衬度。

二次电子像分辨率高、无明显阴影效应、场深大、立体感强，是扫描电镜的主要成像方式，特别适用于粗糙样品表面的形貌观察。

微区成分分析而言,分辨率指能分析的小区域

对微区成分分析而言，分辨率指能分析的小区域；对成像而言，它是指能分辨两点间的小距离。SEM分辨率主要受三方面影响：入射电子束束斑直径、入射电子束在样品中的扩展效应、成像方式及所用的调制信号。二次电子像的分辨率约为5-10nm，背散射电子像的分辨率约为50-200nm。一般来说SEM分辨率指的是二次电子像的分辨率。

放大倍数：M = L/I，其中L是显像管尺寸，I是光栅扫描时相邻两点间距。M通过调节扫描线圈电流进行，电流小则电子束偏转角度小，放大倍数增大。放大倍率不是越大越好，要根据有效放大倍率和分析样品的需要进行选择，与分辨率保持一定关系。

扫描式显微镜有一重要特色

扫描式显微镜有一重要特色是具有超大的景深(depth of field)，约为光学显微镜的300倍，使得扫描式显微镜比光学显微镜更适合观察表面起伏程度较大的样品。

扫描式电子显微镜，其系统设计由上而下，由电子 (Electron Gun) 发射电子束，经过一组磁透镜聚焦 (Condenser Lens) 聚焦后，用遮蔽孔径 (Condenser Aperture) 选择电子束的尺寸(Beam Size)后，通过一组控制电子束的扫描线圈，再透过物镜 (Objective Lens) 聚焦，打在样品上，在样品的上侧装有讯号，用以择取二次电子 (Secondary Electron) 或背向散射电子 (Backscattered Electron) 成像。