背散射电子是由样品“反射”出来的

背散射电子是由样品“反射”出来的入射电子，其主要特点是：

(1)能量高，从50eV到接近入射电子的能量。

(2)穿透能力比二次电子强得多，可从样品中较深的区域逸出(微米级)，在这样的深度范围，入射电子已有相当宽的侧向扩展，因此在样品中产生的范围大，图像分辨率较低；

(3)背散射电子产额随原子序数增大而明显增加，即样品平均原子序数Z大的部位产生较强的背散射电子信号，在荧光屏上形成较亮的区域；而平均原子序数较低的部位则产生较少的背散射电子，在荧光屏上形成较暗的区域，这样就形成原子序数衬度（成分衬度）。

与二次电子像相比，背散射像的分辨率要低，主要应用于样品表面不同成分分布情况的观察，比如有机无机混合物、合金等。

当后向散射电子作为调制信号时,由于其能量高、穿透性强,可以从

当后向散射电子作为调制信号时,由于其能量高、穿透性强,可以从样品较深的区域逃逸(约为有效效应的30%深度).在深度范围内,入射电子横向扩展,因此背散射电子像的分辨率比二次电子像的分辨率低,一般在500-2000nm左右.如果将吸收电子、x射线、阴极发光、束流诱导电导或电位作为调制信号的其他工作模式,由于信号来自整个电子束散射区,因此获得的扫描图像的分辨率相对较低,一般在1000纳米或10000纳米以上之间.

二次电子探测器、X射线能谱分析仪等来区分

电子经过一系列电磁透镜成束后，打到样品上与样品相互作用，会产生二次电子、背散射电子、俄歇电子以及X射线等一系列信号。所以需要不同的探测器譬如二次电子探测器、X射线能谱分析仪等来区分这些信号以获得所需要的信息。虽然X射线信号不能用于成象，但习惯上，仍然将X射线分析系统划分到成象系统中。

有些探测器造价昂贵，比如Robins式背散射电子探测器，这时，可以使用二次电子探测器代替，但需要设定一个偏压电场以筛除二次电子。

电子束能量越大,弹性碰撞截面积越小,电子行走路径倾向直线而可

在固定电子能量时，作用体积和原子序成反比，乃因弹性碰撞之截面积和原子序成正比，以致电子较易偏离原来途径而不能深入样品。电子束能量越大，弹性碰撞截面积越小，电子行走路径倾向直线而可深入样品，作用体积变大。 电子束和样品的作用有两类，一为弹性碰撞，几乎没有损失能量，另一为非弹性碰撞，入射电子束会将部份能量传给样品，而产生二次电子、背向散射电子、俄歇电子、长波电磁、电子-空位对等。这些信号可供SEM运用者有二次电子、背向散射电子、阴极发光、吸收电子及电子束引起电流(EBIC) 等。