泛半导体工艺伴随许多种特殊制程，会使用到大量超高纯（ppt 级别）的干湿***，这是完成工艺成果的重要介质，其特点是昂贵并伴随排放。在集成电路领域，高纯工艺系统主要包括高纯特气系统、大宗气体系统、高纯***系统、研磨液供应及回收系统、前驱体工艺介质系统等。其中，各类高纯气体系统主要服务于几大干法工艺设备，各类高纯***主要服务于湿法工艺设备。

半导体氧化设备具有可密封容器(或氧化室)，将具有内置加热器的加热台设置于这一氧化室的室内部。在加热台上设置衬底支座， 在衬底支座上放置半导体样品(或半导体衬底)。氧化室还设有用于向室内部提供包括蒸汽的氧化气氛的输入管和在氧化过程结束后用于排出室内部 中的氧化气氛的排出管。根据具有这样的结构的半导体氧化设备，有可能以相对高的复现性使半导体样品均勻氧化。

一种半导体氧化设备,其配有:由室壁界定的可密封氧化室;设置于氧化室内,并用来支撑半导体样品的基座;用于向所述氧化室供应对所述

半导体样品的特定部分进行氧化的水蒸汽的供应部分;监测窗，其设置于所述氧化室的室壁之一内,并且设置于能够面对支撑于所述基座上的所述半导体样品的位置处;监测部分,其设置于所述氧化室之外，并且能够经由所述监测窗面对支撑于所述基座上的半导体样品;以及调整所述基座和所述监测部分之间的距离的调整部分。