热阻测试仪应用范围：各种三极管、二极管等半导体分立器件，包括：常见的半导体闸流管、双极型晶体管、以及大功率IGBT、MOSFET、LED等器件。　　各种复杂的IC以及MCM、SIP、SoC等新型结构 。　　各种复杂的散热模组的热特性测试，如热管、风扇等。　　半导体器件结温测量。　　半导体器件稳态热阻及瞬态热阻抗测量。　　半导体器件封装内部结构分析，包括器件封装内部每层结构（芯片+焊接层+热沉等）的热阻和热容参数。　　半导体器件老化试验分析和封装缺陷诊断，帮助用户准确***封装内部的缺陷结构。　　材料热特性测量（导热系数和比热容）。　　接触热阻测量，包括导热胶、新型热接触材料的导热性能测试。



PHASE12 可以测试Rja，Rjc，Rjb Rjl 的热阻。其中个是芯片下的粘接层的阻抗值，后面Tau 是完成的测试时间，四个层次的阻抗值之和就是这个器件的热阻值。并且每一个拐点都表明热进入了一个新的层次。每个层次的数据将表明这个器件不同层向外散热的好坏，对不同厂家同类产品而言，可以让我们选择热阻值非常好的厂家；同时它也可以检测同一厂家，同类产品，不同批次质量的差异，从而评测出该厂家生产工艺的稳定性。苏州特斯特电子科技有限公司，主要从事各类测试、检测仪器设备的代理销售和技术服务，产品涵盖电子元器件，电路板，线缆线束的测试与检测。设备主要来自于欧美日等***测试设备制造***。



射线照相法（RT）是指用X射线或γ射线穿透试件，以胶片作为记录信息的器材的无损检测方法，该方法是基本的，应用的一种非***性检验方法。原理：射线能穿透肉眼无法穿透的物质使胶片感光，当X射线或γ射线照射胶片时，与普通光线一样，能使胶片乳剂层中的卤化银产生潜影，由于不同密度的物质对射线的吸收系数不同，照射到胶片各处的射线强度也就会产生差异，便可根据暗室处理后的底片各处黑度差来判别缺陷。

热阻电性规格：

加热电流测量精度（低电流测量: 0.2, 1 和2 安培测量）

2A 系统: ±1mA 10A 系统: ±5mA 20A 系统: (±10mA)

加热电流测量精度（高电流测量: 2, 10 和20 安培测量）:

2A 系统: ±4mA 10A 系统: ±20mA 20A 系统: (±40mA)

加热电压测量精度: ±0.25% ，0~30V

热电偶测量精度(T 型): 典型 ±0.1°C

交流电压：220VAC，10A，50/60Hz

器件的测试的供电电压： 20V（标配），其他的是选配。

器件的测试的供电电流： 30A(标配)，选配（100A 200A,400A,800A,1000A及更高电流）

节温的感应电流：1mA, 5mA, 10mA, 20mA, 50mA(标配)，100mA,500mA,1000mA,2500mA是选配。

数据采样频率1MHz

结温精度±0.1°C 分辨率：±0.007°C。