MLCC的结构，四川华瓷MLCC片式多层陶瓷电容器工艺

MLCC的构造 

瓷器电容分为单面瓷器电容与多（积）层陶瓷电容(MLCC)，其电容值含量与商品面积尺寸、瓷器薄膜层叠叠加层数正相关，因为瓷器薄膜层叠技术性的发展，电容值含量也越高（日本公司已在完成在2μm的PET薄膜物质上叠1000层加工工艺实践活动，生产制造出单面物质薄厚为1μm电容数值100μF的MLCC）将来很有可能会替代低中电容如电解法电容和钽质电容的行业应用，且MLCC可以通过***T立即粘着，生产制造效率比电解法电容和钽质电容更快，再加上3C电子器件产品迈向轻巧简短特点，MLCC便于芯片化、体型小的竞争优势将更为突显。

片式陶瓷电容器加工-片式陶瓷电容器-四川华瓷MLCC

陶瓷电容器分为哪几类，四川华瓷MLCC片式多层陶瓷电容器工艺

陶瓷电容器关键分成高压陶瓷电容器、多层陶瓷电容器、半导体材料陶瓷电容器这三种类型。高压陶瓷电容器高压陶瓷电容器的瓷料关键有钛酸钡环烷钛酸锶基两类。

钛酸钡基陶瓷材料具备介电指数高、沟通交流抗压特点不错的优势，但也是有电容器弹性系数随物质溫度上升、接地电阻降低等缺陷。

钛酸锶结晶的居里温度为-250℃，在常温为立方米晶系钙钛矿结构，是顺电体，不会有自发性极化状况，在高电压下钛酸锶基陶瓷材料的介电指数转变小，tgδ及电容器弹性系数小，这种特点使其做为高压电力电容器物质是十分有益的。

陶瓷电容的另外一个特性是其直流偏压特性，四川华瓷MLCC片式多层陶瓷电容器工艺

陶瓷电容的此外一个特性是其直流电偏压特性。 

针对在瓷器电容器中又被归类为高诱电率系列产品的电容器(X5R、X7R特性)，因为增加直流电压，其静电感应容积有时候会有别于标称值，因而应需注意。

对高相对介电常数电容器增加的直流电压越大，其具体静电感应容积越低。容值越高的电容器，直流电偏压特性越显著，如47uF-6.3V-X5R的电容器，在6.3V工作电压处，容量仅有其标称值的15%上下，而100nF-6.3V-X5R的电容器容值为其标称值的。 

瓷器电容器中的高诱电率系列产品电容器，如今关键应用以BaTiO3(钛酸钡)做为主要成分的电解介质。BaTiO3具备如下图所示的钙钛矿（perovskite）形的分子结构，在居里温度以上时，为立方米结晶（cubic），Ba2 正离子坐落于端点，O2-正离子坐落于表层中心，Ti4 离子坐落于正方体中心的部位。

电容器检测-线路上通电状态时检测，四川华瓷MLCC片式多层陶瓷电容器工艺

线路上通电状态时检测

若怀疑电解电容只在通电状态下才存在击穿故障，可以给电路通电，然后用万用表直流挡测量该电容器两端的直流电压，如果电压很低或为０Ｖ，则是该电容器已击穿。 对于电解电容的正、负极标志不清楚的，必须先判别出它的正、负极。对换万用表笔测两次，以漏电大（电阻值小）的一次为准，黑表笔所接一脚为负极，另一脚为正极。