重庆多层陶瓷电容器具有良好的高频特性MLCC的材质

＜特性② 低ESR、低ESL＞

重庆多层陶瓷电容器具有良好的高频特性。与其他电容器相比，由于其具备能够减小电阻（ESR※1）及残余电感（ESL※2）的构造，因此在高频条件下也能保证电容器的工作。图3、图4所示为等效电路与电感的特性。由于铝电解电容器及钽电解电容器的ESR较高，因此阻抗也就较高。但陶瓷电容器却是频率越高则阻抗越低，这对于去藕来说非常有效，并能够发挥的滤波能力。

重庆贴片陶瓷电容器的制造原理MLCC的材质

重庆贴片陶瓷电容器的制造原理

将重庆高介电常数的陶瓷电容 器钛 酸钡一氧化钛揉捏成圆管、圆片或圆盘作为介质，用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极。分为高频瓷介和低频瓷介两种。正电容温度系数小的电容器用于高稳定振荡电路，用作电路电容器和垫片电容器。在低工作频率电路中，低频瓷介电容器局限于旁路或隔离DC，或者对稳定性和损耗要求不高的场合，包括高频。

又分为高频瓷介和低频瓷介。具有小的正电容温度系数陶瓷电容器，用于高稳定振荡电路，用作电路电容器和贴片电容器。本发明所述低频瓷介电容器于工作频率低的电路作为旁路或DC隔离，或者对稳定性和损耗要求低的情况(包括高频)。这类电容器不适用于脉冲电路，因为它们很容易被脉冲电压击穿。陶瓷电容器根据包装不同可分为插件和贴片式！根据介质的不同，可分为I类瓷介电容和II类瓷介电容。

陶瓷电容器电压降额的重要性

需要考虑的一个重要因素是，陶瓷电容器的电容值将随着元件上的电压接近额定电压而减小。在某些部件中，这种降低会显著影响电路的工作。这种效果受到组件物理尺寸的强烈影响。***06D陶瓷电容器的额定电容值比***06陶瓷电容器的额定值慢得多。这种效应在具有高介电常数的元件中也更为突出，例如具有II类介电特性的器件（例如B/X5R和R/X7R）。当信号处理电路中的陶瓷电容器上存在直流偏压时，这种效应可能会产生问题。偏置电压可以显著降低影响基极电路工作特性的总电容。叠加在偏置电压顶部的信号电压可以加剧或减轻这种变化，这取决于其极性，从而导致与信号电压成比例的电容变化。由于电容的变化，固结效应是一种非线性的表现。通过确保根据峰值信号电压和直流偏压计算出的电容器上的电压保持在元件电容特性的范围内，电容变化，就可以解决这个问题。这可能需要仔细选择电介质特性符合设计师要求的组件。

对陶瓷电容器的另一个影响是暴露在额定电压限值内的快速瞬变。当电压保持在极限范围内时，电压的变化率会随着时间的推移而使陶瓷材料劣化，从而缩短部件的寿命并增加失效的概率。