变频器功率场效应晶体管在提高击穿电压和增大电流方面进展较慢，故在变频器中的应用尚不能居主导地位。2、绝缘栅双极晶体管（IGBT）IGBT是MOSFET和GTR相结合的产物，是栅极为绝缘栅结构（MOS结构）的晶体管，它的三个极分别是集电极C、发射极E和栅极G。工作特点是，控制部分与场效应晶体管相同，控制信号为电压信号Uge，输入阻抗很高，栅极电流I≈0，故驱动功率很小。而起主电路部分则与GTR相同，工作电流为集电极电流I。

通常，变频器安装在控制柜中。我们要了解一台变频器的发热量大概是多少.可以用以下公式估算：发热量的近似值=变频器容量（KW）×55[W]在这里，如果变频器容量是以恒转矩负载为准的(过流能力150%*60s)如果变频器带有直流电抗器或交流电抗器，并且也在柜子里面，这时发热量会更大一些。电抗器安装在变频器侧面或测上方比较好。因此，要使控制机柜的尺寸尽量减小，就必须要使机柜中产生的热量值尽可能地减少。

今天我告诉大家的是变频器MOSFET以及IGBT1、功率场效应晶体管（POWERMOSFET）它的3个极分别是源极S、漏极D和栅极G其工作特点是，G、S间的控制信号是电压信号Ugs。改变Ugs的大小，主电路的漏极电流Id也跟着改变。由于G、S间的输入阻抗很大，故控制电流几乎为0，所需驱动功率很小。和GTR相比，其驱动系统比较简单，工作频率也比较高。此外，MOSFET还具有热稳定性好、安全工作区大等优点。

在变频器维修处理方法1、起动时一升速就跳闸，这是过电流十分严重的现象，主要检查①工作机械有没有卡住②负载侧有没有短路，用兆欧表检查对地有没有短路③变频器功率模块有没有损坏④电动机的起动转矩过小，拖动系统转不起来2、起动时不马上跳闸，而在运行过程中跳闸，主要检查①升速时间设定太短，加长加速时间②减速时间设定太短，加长减速时间③转矩补偿(U/F比)设定太大，引起低频时空载电流过大④电子热继电器整定不当，动作电流设定得太小，引起变频器误动作电压保护。