磁导航传感器的结构设计至关重要

磁导航传感器安装在AGV腹部，距离地面高度一般在2-4cm之间，当地面出现杂物或凸起时，容易撞击到磁导航传感器，磁导航传感器如果结构强度不够会因此而变形，AGV整个系统就会因此而失去导引磁条目标，工作失常。因此，磁导航传感器的结构设计至关重要，常见的磁导航传感器为了控制成本，安装外壳采用1~1.5mm铝合金板钣金加工而成，特点是成本低、结构强度低、容易变形、容易开裂。HQ系列磁导航传感器采用数控加工硬铝合金外壳、表面阳极化，具有结构强度高、外观精致、安装方便的特点。

磁导航传感器通常由敏感元件、转换元件和测量电路三部分组成

磁导航传感器通常由敏感元件、转换元件和测量电路三部分组成。

1)、敏感元件是指能直接感受(或响应)被测量的部分，即将被测量通过传感器的敏感元件转换成与被测量有确定关系的非电量或其它量。

2)、转换元件则将上述非电量转换成电参量。

3)、测量电路的作用是将转换元件输入的电参量经过处理转换成电压、电流或频率等可测电量，以便进行显示、记录、控制和处理的部分。

巨磁电阻效应的发现者法国科学家阿尔贝·费尔(AlbertFe

巨磁电阻效应的发现者法国科学家阿尔贝·费尔（Albert Fert）和德国科学家彼得·格林贝格尔（Peter Andreas Grünberg）由于其对现代磁记录和工业领域的巨大贡献而获得2007年诺贝尔物理学奖，作为GMR元件的下一代技术，TMR（MTJ）元件已完全取代GMR元件，被广泛应用于硬盘磁头领域。相信TMR磁传感技术将在工业、生物传感、磁性随机存储（Magnetic Random Access Memory，MRAM）等领域有极大的发展与贡献。