经过放大与调理电路对感应电压进行放大和调理，进而将信号传输到主控芯片，主控芯片对放大和调理后的信号进行ad采样处理，并将导航信号通过rs-485通信方式传输给小车的控制模块。由于每个霍尔器件与主控芯片之间需要设置放大和调理电路，因此，传感器的电路结构复杂、器件种类多，导致传感器的生产成本较高，且不利于传感器的小型化。

电桥可以用来改变磁电阻传感器的信号

电桥可以用来改变磁电阻传感器的信号，使其输出电压便于被放大。这可以改变信号的噪声，取消共模信号，减少温漂或其他的不足。MTJ元件可以连接构成惠斯通电桥或其他电桥。 巨磁电阻效应的发现者法国科学家阿尔贝·费尔（Albert Fert）和德国科学家彼得·格林贝格尔（Peter Andreas Grünberg）由于其对现代磁记录和工业领域的巨大贡献而获得2007年诺贝尔物理学奖，作为GMR元件的下一代技术，TMR（MTJ）元件已完全取代GMR元件，被广泛应用于硬盘磁头领域。相信TMR磁传感技术将在工业、生物传感、磁性随机存储（Magnetic Random Access Memory，MRAM）等领域有极大的发展与贡献。

TMR(TunnelMagnetoResistance)元件

TMR（Tunnel MagnetoResistance）元件是近年来开始工业应用的新型磁电阻效应传感器，其利用的是磁性多层膜材料的隧道磁电阻效应对磁场进行感应，比之前所发现并实际应用的AMR元件和GMR元件具有更大的电阻变化率。我们通常也用磁隧道结（Magnetic Tunnel Junction，MTJ）来代指TMR元件，MTJ元件相对于霍尔元件具有更好的温度稳定性，更高的灵敏度，更低的功耗，更好的线性度，不需要额外的聚磁环结构；相对于AMR元件具有更好的温度稳定性，更高的灵敏度，更宽的线性范围，不需要额外的set/reset线圈结构；相对于GMR元件具有更好的温度稳定性，更高的灵敏度，更低的功耗，更宽的线性范围。

磁导航传感器的结构设计至关重要

磁导航传感器安装在AGV腹部，距离地面高度一般在2-4cm之间，当地面出现杂物或凸起时，容易撞击到磁导航传感器，磁导航传感器如果结构强度不够会因此而变形，AGV整个系统就会因此而失去导引磁条目标，工作失常。

因此，磁导航传感器的结构设计至关重要，常见的磁导航传感器为了控制成本，安装外壳采用1~1.5mm铝合金板钣金加工而成，特点是成本低、结构强度低、容易变形、容易开裂。HQ系列磁导航传感器采用数控加工硬铝合金外壳、表面阳极化，具有结构强度高、外观精致、安装方便的特点。