随着物联网，智能制造，人工智能，云计算，大数据等等技术的蓬勃发展和广泛应用，必将对传感器(技术、产业)的发展，迎来新的机遇和挑战，这是时代、历史赋予“中国传感器人”的天赐良机，中国传感器(技术、产业)风险犹存，必须从***利益、***安全着想，攻破技术壁垒、打破行业界线、突破人才禁区、解破产业难点，埋头工作、厚积薄发，***要努力、企业要努力、每一位“中国传感器人”要努力，中国的传感器一定会越来越好。

底电极层(BottomConductingLayer)和顶电

底电极层（Bottom Conducting Layer）和顶电极层（Top Conducting Layer）直接与相关的反铁磁层和自由层电接触。电极层通常采用非磁性导电材料，能够携带电流输入欧姆计，欧姆计适用于已知的穿过整个隧道结的电流，并对电流（或电压）进行测量。通常情况下，隧道势垒层提供了器件的大多数电阻，约为1000欧姆，而所有导体的阻值约为10欧姆。底电极层位于绝缘基片（Insulating Layer）上方，绝缘基片要比底电极层要宽，且位于其他材料构成的底基片（Body Substrate）的上方。底基片的材料通常是硅、石英、耐热玻璃、GaAs、AlTiC或者是能够于晶圆集成的任何其他材料。硅由于其易于加工为集成电路（尽管磁性传感器不总是需要这种电路）成为好的选择。

巨磁电阻效应的发现者法国科学家阿尔贝·费尔(AlbertFe

巨磁电阻效应的发现者法国科学家阿尔贝·费尔（Albert Fert）和德国科学家彼得·格林贝格尔（Peter Andreas Grünberg）由于其对现代磁记录和工业领域的巨大贡献而获得2007年诺贝尔物理学奖，作为GMR元件的下一代技术，TMR（MTJ）元件已完全取代GMR元件，被广泛应用于硬盘磁头领域。相信TMR磁传感技术将在工业、生物传感、磁性随机存储（Magnetic Random Access Memory，MRAM）等领域有极大的发展与贡献。