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根据万用表示数分析,肖特基二极管测试结论如下(其中①②③为肖特基二极管自左而右的三只引脚编码):
一,根据①-②、③-②间均可测出正向电阻,判定被测管为共阴对管,①、③脚为两个阳极,②脚为公共阴极。
二,因①-②、③-②之间的正向电阻只几欧姆,而反向电阻为无穷大,故具有单向导电性。
三,内部两只肖特基二极管的正向导通压降分别为0.315V、0.33V,均低于手册中给定的允许值VFM(0.55V)。
为了获得正向压降低和反向漏电流小的SiCSBD,采用Ni接触与Ti接触相结合、高/低势垒双金属沟槽(DMT)结构的SiCSBD设计方案是可行的。采用这种结构的SiCSBD,反向特性与Ni肖特基整流器相当,在300V的反向偏压下的反向漏电流比平面型Ti肖特基整流器小75倍,而正向特性类似于NiSBD。采用带保护环的6H-SiCSBD,击穿电压达550V。
【ASEMI讲解肖特基二极管的命名】
肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,
完整的叫法是:肖特基整流二极管(Schottky Rectifier Diode 缩写成SR),
也有人叫做:肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode 缩写成SBD)的简称。
肖特基:Schottky
整流:Rectifier
SR:即为肖特基整流二极管
Schottky Rectifier Diode:肖特基整二极管,简称:SR,比如:SR107,SR10100CT……
势垒:Barrier
SB:即为肖特基势垒二极管
肖特基二极管也称肖特基势垒二极管(简称SBD),国内厂家也有叫做"SB1045CT、SR10100、SL…、BL…
Schottky Barrier Diode:肖特基势垒二极管,简称:SB,比如:SB107,SB1045CT……
Schottky Barrier Diode:也有简写为:SBD来命名产品型号前缀的。但SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。
因此,SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极管。
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