?ASEMI品牌肖特基二极管MB10200FAC

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ASEMI品牌肖特基二极管系列MB10200FAC，电性参数为10A 200V，芯片材质采用俄罗斯Mikron芯片，内含1个95MIL的大芯片，大芯片足 10A的正向电流和0.75V的正向电压，可承受175A浪涌电流， 漏电流为10UA，***时间小于等于5nS。 MBR10200FAC属ITO-220AC全塑封封装，有2个引脚，正极输入，负极输出。全塑封绝缘性能高。

ASEMI肖特基二极管MBR40200PT，电性参数为40A200V,TO-247/3P封装，芯片采用俄罗斯进口Mikron芯片，镭射激光打标，不易退色；黑胶材质为进口环氧塑脂材料，包封稳定性强，其引脚为无氧铜，抗弯曲、减少氧化、高导电性。

ASEMI肖特基二极管，每一道工序都在严格的监控下生产制造。所生产出来的肖特基二极管产品，已过严格检验测试方可出厂，确保没有不良品。因为ASEMI相信，客户是懂产品的。客户相信ASEMI的品牌与品质，才会下单。

?台湾ASEMI品牌低压降肖特基二极管SB30100LFCT

台湾ASEMI品牌低压降肖特基二极管SB30100LFCT，其电性参数为30A，100V，封装为：ITO-220AB封装，芯片采用2个94MIL的俄罗斯进口Mikron芯片，产品本体采用的是镭射印字，不易退色；黑胶部分材质为进口环氧塑脂材料，包封稳定性强，其引脚采用的是进口的无氧铜材料，抗弯曲性强、高导电性好。

ASEMI肖特基二极管MBR30100FCT

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ASEMI肖特基二极管MBR30100FCT是一种低功耗、高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，具有反向***时间短，速度快，有效防止浪涌，减少开通瞬间的功耗等功能。其封装为：TO-220；电性参数正向电流为30A，反向耐压为100V；正向峰值浪涌电流为200A，反向***时间：＜5ns，芯片尺寸：122MIL.