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由于SBD的反向势垒较薄，并且在其表面极易发生击穿，所以反向击穿电压比较低。由于SBD比PN结二极管更容易受热击穿，反向漏电流比PN结二极管。

SBD的结构及特点使其适合于在低压、DA电流输出场合用作高频整流，在非常高的频率下(如X波段、C波段、S波段和Ku波段)用于检波和混频，在高速逻辑电路中用作箝位。在IC中也常使用SBD，像SBD?TTL集成电路早已成为TTL电路的主流，在高速计算机中被广泛采用。

SBD的正向压降和反向漏电流直接影响SBD整流器的功率损耗，关系到系统效率。低正向压降要求有低的肖特基势垒高度，而较高的反向击穿电压要求有尽可能高的势垒高度，这是相矛盾的。因此，对势垒金属必须折衷考虑，故对其选择显得十分重要。对N型SiC来说，Ni和Ti是比较理想的肖特基势垒金属。由于Ni/SiC的势垒高度高于Ti/SiC，故前者有更低的反向漏电流，而后者的正向压降较小。

　　MBR、SR、SL、SB、STB、STP都是常见的半导体公司对肖特基产品的型号命名。各厂家命名有不同。

　　备注：美国摩托罗拉半导体公司，是世界半导体生产商。早期的半导体元件很多都是以该公司的产品命名而得到***公认、通用。摩托罗拉公司后来将半导体器件分离出来，分为：

　　成品电器（比如手机、通信终端设备、小家电等）；

　　电子元件部分是今天的ON（安森美半导体），生产功率器件；

　　Freescale（飞思卡尔半导体）生产IC集成电路；

　　如：SS12、SS14、SS16、SS18…也就是常说贴片封装。