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ASEMI新型高压SBD的结构和材料与传统SBD是有区别的。传统SBD是通过金属与半导体接触而构成。金属材料可选用铝、金、钼、镍和钛等,半导体通常为(Si)或(GaAs)。由于电子比空穴迁移率大,为获得良好的频率特性,故选用N型半导体材料作为基片。为了减小SBD的结电容,提高反向击穿电压,同时又不使串联电阻过大,通常是在N+衬底上外延一高阻N-薄层。
SBD的正向压降和反向漏电流直接影响SBD整流器的功率损耗,关系到系统效率。低正向压降要求有低的肖特基势垒高度,而较高的反向击穿电压要求有尽可能高的势垒高度,这是相矛盾的。因此,对势垒金属必须折衷考虑,故对其选择显得十分重要。对N型SiC来说,Ni和Ti是比较理想的肖特基势垒金属。由于Ni/SiC的势垒高度高于Ti/SiC,故前者有更低的反向漏电流,而后者的正向压降较小。
MBR、SR、SL、SB、STB、STP都是常见的半导体公司对肖特基产品的型号命名。各厂家命名有不同。
备注:美国摩托罗拉半导体公司,是世界半导体生产商。早期的半导体元件很多都是以该公司的产品命名而得到***公认、通用。摩托罗拉公司后来将半导体器件分离出来,分为:
成品电器(比如手机、通信终端设备、小家电等);
电子元件部分是今天的ON(安森美半导体),生产功率器件;
Freescale(飞思卡尔半导体)生产IC集成电路;
如:SS12、SS14、SS16、SS18…也就是常说贴片封装。
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