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ASEMI解析肖特基势垒二极管工作原理：

随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被***，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。

为解决SBD在高温下易产生由金属-半导体的整流接触变为欧姆接触而失去导电性这一肖特基势垒的退化问题，ASEMI通过退火处理，形成金属-金属硅化物-硅势垒，从而提高了肖特基势垒的高温性能与可靠性。

ASEMI生产的肖特基二极管全部采用俄罗斯米克朗大芯片，产品系列通过欧盟rosh以及美国ul认证，销售覆盖***。

ASEMI肖特基二极管参数的研发拓展：

ASEMI研制的MBR60100PT  MBR60150PT  MBR60200PT，是专门为在输出12V~24V的***PS中替代高频整流FRED而设计的。像额定电流为2×8A的大电流高频率型SBD，起始电压比业界居***水平的200V/2×8AFRED(如STRR162CT)低0.07V(典型值为0.47V)，导通电阻RD(125℃)低6.5mΩ(典型值为40mΩ)，导通损耗低0.18W(典型值为1.14W)。