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ASEMI整流肖特基二极管快资讯！

SiC高压SBD

由于Si和GaAs的势垒高度和临界电场比宽带半导体材料低，用其制作的SBD击穿电压较低，反向漏电流较大。碳化硅(SiC)材料的禁带宽度大(2.2eV~3.2eV)，临界击穿电场高(2V/cm~4×106V/cm)，饱合速度快(2×107cm/s)，热导率高为4.9W/(cm·K)，抗化学腐蚀性强，硬度大，材料制备和制作工艺也比较成熟，是制作高耐压、低正向压降和高开关速度SBD的比较理想的新型材料。

ASEMI肖特基二极管与普通二极管之间有什么区别？

肖特基二极管（Schottky）的特点是正向压降 VF 比较小。

在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。

另外它的***时间短。它也有一些缺点：耐压比较低，漏电流稍大些。比较适用大电流低电压场合。

在高电压整流电路应用时，还是应该选用普通PN结整流二极管。希望ASEMI可以帮助你！

肖特基二极管

      优点：

              1.   正向压降小 ：              通常0.4V左右

              2.   反向***时间极短:        可达5纳秒

              3.  大的正向电流:                1A---300A之间

     缺点：

             1.反向工作电压VR低:          通常200V以下

             2.漏电流稍大些       :            仅有10mA

    例1：B82-400

           1.反向工作电压VRRM:40V

           2.正向压降VF:0.55V(IF=2.0A)

           3.漏电流IR=5mA(VRRM=40V)

          4.整流电流IF=5A

          5.浪涌电流IF***=100A(T=10ms)

例2：1N5817,1N5818,1N5819

          1.反向工作电压VRRM(1N5817,1N5818,1N5819 ):20V,30V,40V

           2.正向压降VF:0.6V(IF=1.0A)

           3.漏电流IR=0.1mA(VRRM=40V)

          4.整流电流IF=1A

          5.浪涌电流IF***=25A(T=10ms)