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在外加电压为零时,电子的扩散电流与反向的漂移电流相等,达到动态平衡。在加正向偏压(即金属加正电压,半导体加负电压)时,自建场削弱,半导体一侧势垒降低,于是形成从金属到半导体的正向电流。当加反向偏压时,自建场增强,势垒高度增加,形成由半导体到金属的较小反向电流。因此,SBD与PN结二极管一样,是一种具有单向导电性的非线性器件。
ASEMI肖特基二极管新品介绍——
SBD的主要优点包括两个方面:
1)由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度,故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低(约低0.2V)。
2)由于SBD是一种多数载流子导电器件,不存在少数载流子寿命和反向***问题。SBD的反向***时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间,完全不同于PN结二极管的反向***时间。由于SBD的反向***电荷非常少,故开关速度非常快,开关损耗也特别小,尤其适合于高频应用。
要问肖特基二极管与快***二极管的差别,以及为什么采购生产等都喜欢使用肖特基二极管的原因,那就是频率的高低不同,直接影响到应用当中的能源耗损,像ASEMI的肖特基二极管,其反向***时间已能缩短到5ns以内。但它的反向耐压值较低,一般不超过去时100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用其低压降这特点,能提高低压、大电流整流(或续流)电路的效率 。
MBR、SR、SL、SB、STB、STP都是常见的半导体公司对肖特基产品的型号命名。各厂家命名有不同。
备注:美国摩托罗拉半导体公司,是世界半导体生产商。早期的半导体元件很多都是以该公司的产品命名而得到***公认、通用。摩托罗拉公司后来将半导体器件分离出来,分为:
成品电器(比如手机、通信终端设备、小家电等);
电子元件部分是今天的ON(安森美半导体),生产功率器件;
Freescale(飞思卡尔半导体)生产IC集成电路;
如:SS12、SS14、SS16、SS18…也就是常说贴片封装。
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