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在金属内部和半导体导带相对应的分能级上，电子密度小于半导体导带的电子密度。因此，在二者接触后，电子会从半导体向金属扩散，从而使金属带上负电荷，半导体带正电荷。由于金属是理想的导体，负电荷只分布在表面为原子大小的一个薄层之内。而对于N型半导体来说，失去电子的施主杂质原子成为正离子，则分布在较大的厚度之中。
关于肖特基二极管的应用，ASEMI总结出以下几点：
肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode)，具有正向压降低（0.4—1.0V）、反向***时间很短（0-10纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。
3、常用的肖特基二极管
常用的有引线式肖特基二极管，1N5817、1N5819、MBR1045、MBR20200 等型号。也就是常说的插件封装。
常用表面贴封装肖特基二极管。贴片肖特基二极管为何命名为"SS"?
SCHOTTKY:取首字母"S",
***D:Surface Mounted Devices 的缩写，意为：表面贴装器件，取首字母"S",
上面两个词组各取首字母、即为 SS,
电流的肖特基是BAT42（0.2A）；BAT54、BAT54A、BAT54C（0.3A）；
电流的肖特基是440A,如：440CMQ030、444CNQ045;超过440A 的必定是模块。
肖特基的电压是 200V,也就是说，肖特基的极限电压是200V.超过200V 电压的也必定是模块。
电流越大，电压越低。与可控硅元件不一样。电流与电压成反比（模块除外）。
10A、20A、30A 规格的有做到200V 电压。除此外，都没有200V 电压规格。
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