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ASEMI新型高压SBD的结构和材料与传统SBD是有区别的。传统SBD是通过金属与半导体接触而构成。金属材料可选用铝、金、钼、镍和钛等，半导体通常为(Si)或(GaAs)。由于电子比空穴迁移率大，为获得良好的频率特性，故选用N型半导体材料作为基片。为了减小SBD的结电容，提高反向击穿电压，同时又不使串联电阻过大，通常是在N+衬底上外延一高阻N-薄层。

关于肖特基二极管的应用，ASEMI总结出以下几点：

肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode)，具有正向压降低（0.4—1.0V）、反向***时间很短（0-10纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。

MBR1045CT,其中的"C":表示TO-220封装；MBR6045PT,其中的"P":表示TO-3P封装

　　元件的封装形式也在型号的前缀第四位字母中体现，例如：

　　MBRD10100CT:第四位的D,表示贴片DPAK封装

　　MBRB10100CT:第四位的B,表示贴片D2PAK封装

　　MBRF10100CT:第四位的F,表示TO-220全塑封

　　TO-252,也就是贴片DPAK封装；TO-263,也就是贴片D2PAK封装；任何型号的命名都有它的规律性可循。例如：MBR20100CT,型号中就20100是阿拉伯数字，20100中，20是电流，100是电压。以此类推。

关于    ASEMI肖特基二极管 的封装

　　通过型号识别封装外形：

　　MBR10100:TO-220AC,单芯片，两引脚，

　　MBR10100CT:TO-220AB,双芯片，三引脚，型号后缀带CT

　　MBRB10100CT:TO-263（D2PAK）、贴片。

　　型号前面四个字母B,代表TO-263,国际通用命名。双芯片，三引脚，型号后缀带CT

　　MBRD1045CT:TO-252（DPAK）、贴片。

　　MBRD与MBRB都是贴片，D:TO-252,B:TO-263.

　　MBR3045PT:TO-3P,型号后缀"PT"代表TO-3P封装，

　　原MOTOROLA现叫做SOT-93

　　SD1045:D表示TO-251