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如图所示，ASEMI肖特基二极管解剖图放大后的芯片附近，在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，N型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒，如图所示。当在肖特基势垒两端加上正向偏压(阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极)时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小;反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。

快***二极管与肖特基二极管又有什么不同呢？相比之下，ASEMI肖特基二极管又会有什么样的优势呢？

首先，我们来看一下一般的快***二极管。UFRD的反向***时间Trr也在20ns以上，根本不能满足像空间站等领域用1MHz~3MHz的***PS需要。即使是硬开关为100kHz的***PS，由于UFRD的导通损耗和开关损耗均较大，壳温很高，需用较大的散热器，从而使***PS体积和重量增加，不符合小型化和轻薄化的发展趋势。

　　MBR、SR、SL、SB、STB、STP都是常见的半导体公司对肖特基产品的型号命名。各厂家命名有不同。

　　备注：美国摩托罗拉半导体公司，是世界半导体生产商。早期的半导体元件很多都是以该公司的产品命名而得到***公认、通用。摩托罗拉公司后来将半导体器件分离出来，分为：

　　成品电器（比如手机、通信终端设备、小家电等）；

　　电子元件部分是今天的ON（安森美半导体），生产功率器件；

　　Freescale（飞思卡尔半导体）生产IC集成电路；

　　如：SS12、SS14、SS16、SS18…也就是常说贴片封装。