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常见的肖特基有贴片肖特基二极管与直插型肖特基二极管。

首先一起来看一下贴片型肖特基二极管：SBD具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，耐压顶多达到约100V，以致于限制了其应用范围。像在开关电源(***PS)和功率因数校正(PFC)电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V~1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等，只有使用快速***外延二极管(FRED)和超快速***二极管(UFRD)。

快***二极管与肖特基二极管又有什么不同呢？相比之下，ASEMI肖特基二极管又会有什么样的优势呢？

首先，我们来看一下一般的快***二极管。UFRD的反向***时间Trr也在20ns以上，根本不能满足像空间站等领域用1MHz~3MHz的***PS需要。即使是硬开关为100kHz的***PS，由于UFRD的导通损耗和开关损耗均较大，壳温很高，需用较大的散热器，从而使***PS体积和重量增加，不符合小型化和轻薄化的发展趋势。

为了获得正向压降低和反向漏电流小的SiCSBD，采用Ni接触与Ti接触相结合、高/低势垒双金属沟槽(DMT)结构的SiCSBD设计方案是可行的。采用这种结构的SiCSBD，反向特性与Ni肖特基整流器相当，在300V的反向偏压下的反向漏电流比平面型Ti肖特基整流器小75倍，而正向特性类似于NiSBD。采用带保护环的6H-SiCSBD，击穿电压达550V。

ASEMI肖特基二极管与快***二极管有什么区别?

这是两种工艺的芯片技术，势垒工艺肖特基二极管频率比平面硅片的快***二极管更高，TRR参数只几nS,基本忽略，正向导通电压低，只零点几伏（低自身功耗），但点压不高，一般只能做到200V，现在ASEMI有做300V的MBR30200PT。更高的参数需求可以详询ASEMI在线***。