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ASEMI新型高压SBD的结构和材料与传统SBD是有区别的。传统SBD是通过金属与半导体接触而构成。金属材料可选用铝、金、钼、镍和钛等，半导体通常为(Si)或(GaAs)。由于电子比空穴迁移率大，为获得良好的频率特性，故选用N型半导体材料作为基片。为了减小SBD的结电容，提高反向击穿电压，同时又不使串联电阻过大，通常是在N+衬底上外延一高阻N-薄层。

SBD的正向压降和反向漏电流直接影响SBD整流器的功率损耗，关系到系统效率。低正向压降要求有低的肖特基势垒高度，而较高的反向击穿电压要求有尽可能高的势垒高度，这是相矛盾的。因此，对势垒金属必须折衷考虑，故对其选择显得十分重要。对N型SiC来说，Ni和Ti是比较理想的肖特基势垒金属。由于Ni/SiC的势垒高度高于Ti/SiC，故前者有更低的反向漏电流，而后者的正向压降较小。

ASEMI肖特基二极管与快***二极管有什么区别?

这是两种工艺的芯片技术，势垒工艺肖特基二极管频率比平面硅片的快***二极管更高，TRR参数只几nS,基本忽略，正向导通电压低，只零点几伏（低自身功耗），但点压不高，一般只能做到200V，现在ASEMI有做300V的MBR30200PT。更高的参数需求可以详询ASEMI在线***。

MBR1045CT,其中的"C":表示TO-220封装；MBR6045PT,其中的"P":表示TO-3P封装

　　元件的封装形式也在型号的前缀第四位字母中体现，例如：

　　MBRD10100CT:第四位的D,表示贴片DPAK封装

　　MBRB10100CT:第四位的B,表示贴片D2PAK封装

　　MBRF10100CT:第四位的F,表示TO-220全塑封

　　TO-252,也就是贴片DPAK封装；TO-263,也就是贴片D2PAK封装；任何型号的命名都有它的规律性可循。例如：MBR20100CT,型号中就20100是阿拉伯数字，20100中，20是电流，100是电压。以此类推。