虽然他们的术语确实有所不同，但许多IC制造商要么调整现有的产品线，要么创造全新的产品来解决传感器融合任务。该处理由控制器芯片完成，该芯片可以被识别为MCU，传感器集线器或传感器融合处理器。我们已经看到这种技术应用于智能手机，活动监视器和其他设备的消费市场。技术的融合幸运的是，正如他们在电子产品的其他领域所做的那样，许多IC制造商已经承担了繁重工作的任务。借助现成的传感器融合和传感器集线器芯片，现在可以有效地连接各种数字传感器以及其他路径。创建自己的算法的负担已经消除。

由于数据传送方式不同，因此CCD与CMOS传感器在效能与应用上也有诸多差异，这些差异包括：由于CMOS传感器的每个象素由四个晶体管与一个感光二极管构成(含放大器与A/D转换电路)，使得每个象素的感光区域远小于象素本身的表面积，因此在象素尺寸相同的情况下，CMOS传感器的灵敏度要低于CCD传感器。由于CMOS传感器采用一般半导体电路的CMOS工艺，可以轻易地将周边电路(如AGC、CDS、Timing generator、或DSP等)集成到传感器芯片中，因此可以节省外围芯片的成本

CMOS传感器的图像采集方式为主动式，感光二极管所产生的电荷会直接由晶体管放大输出，但CCD传感器为被动式采集，需外加电压让每个象素中的电荷移动，而此外加电压通常需要达到12~18V；因此，CCD传感器除了在电源管理电路设计上的难度更高之外(需外加 power IC)，高驱动电压更使其功耗远高于CMOS传感器的水平。举例来说，OmniVision推出的OV7640(1/4英寸、VGA)，在 30 fps的速度下运行，功耗仅为40mW；而致力于低功耗CCD传感器的Sanyo公司推出的1/7英寸、CIF等级的产品，其功耗却仍保持在90mW 以上。因此CCD发热量比CMOS大，不能长时间在阳光下工作。