兴之扬铝网蚀刻加工中对防蚀层的质量要求
在前面蚀刻工艺介绍中,兴之扬一直强调,铝网蚀刻加工是精密加工行业,因此对于原料质量的选择,以及各工艺流程都需要做好管控。任一环节若有偏差,就有可能造成精度超差,今天兴之扬就为大家介绍一下铝网蚀刻加工中防蚀层的质量要求。
大家知道铝网蚀刻加工,就是在一张铝网薄板上,蚀刻出想要的图形文字,主要是做减法,将不需要的那部分铝网材料腐蚀掉,那么通过什么来做到固定腐蚀呢,就是通过防蚀层,将不需要蚀刻的部分用防蚀层保护起来,这样进入蚀刻加工机器的时候就能腐蚀掉未保护的铝网材料,从而得到想要的图形。所有的产品在出货前均会经过生产巡检、品质检测、发货抽检相关人员的三次质检,确保发货到您手里的产品是合格产品。因此防蚀层的质量,决定着蚀刻加工的精度,那么评估防蚀层的质量主要有哪些方面呢?主要有以下几个方面:
1、防蚀层对铝网表面的附着强度及韧性
当产品在铝网蚀刻加工过程中防蚀层必须牢固地粘着在产品的表面上,因此兴之扬对防蚀层的质量要求既要有牢固的表面附着力,又必须有足够的韧性强度,以保护产品的边缘精度。使蚀刻加工出来的结构图形边缘整齐,没有缺口,毛刺等。
2、防蚀层要易于清除
防蚀层不仅需要对铝网表面的附着强度及韧性,同时完成其保护工作后还得容易采用化学溶解的方法退除。否则会给产品后续加工带来不便,特别是对一些高精密蚀刻加工的产品是不可以采用物理***方法退除防蚀层,会***已加工好的精度。
3、防蚀层的抗蚀性
防蚀层顾名思义,主要是防止腐蚀,对腐蚀液的抗性要强。铝网蚀刻加工主要有两种腐蚀体系,一种是碱性体系,一种是酸性体系,要根据不同的蚀刻体系,选择相应抗蚀性能好的防蚀材料。
蚀刻网定制加工厂家-兴之扬
蚀刻网指的是通过蚀刻工艺加工出来的镂空网片零件,蚀刻工艺是通过化学腐蚀溶液(分为碱性体系和酸性体系)与铝网材料反应,将不需要的部分腐蚀掉从而得到想要的文字与图形。所以加工精密蚀刻网,选择***的精密蚀刻加工厂家没有错,兴之扬科技有限公司蚀刻加工在国内外都颇有赞誉。5mm以下小孔的蚀刻加工零件,可以联系兴之扬,我们可以免费为您提供***的微孔网蚀刻加工方案供您选择。
蚀刻网一般采用不锈钢薄板,铝合金板材,及其他铝网板材进行加工,加工较多的材料厚度区间在0.2-0.5mm。兴之扬可以根据图纸与要求蚀刻加工0.02-1.0mm厚度的蚀刻网片,蚀刻网主要应用用于集成电路印刷,荧光屏电子格栅,精准过滤网,微电极元件等领域,精度要求较高,兴之扬精度可以做到±0.01mm,对于400*600mm以内的面积尺寸均可以加工。利用我们的灵活性,专门配备的样品攻关,批量攻关团队,为客户的产品进行量身打造,无论是时间周期还是管控精度,我们都可以随时对应。
兴之扬是广东一家蚀刻厂家,支持来图来样定制加工各类蚀刻网,可进行批量前打样服务,打样一般在1-3个工作日,具体看产品难度与工厂生产情况。我司拥有6条自动化蚀刻生产线,能够承接大批量规模化蚀刻网的加工生产制作,同时提供拉丝,喷砂,电镀等加工,满足不同蚀刻网产品的表面效果要求。蚀刻网加工欢迎联系兴之扬。***机属于精密机械,所在的车间必须是没有尘车间,操作技术员要穿戴静电服。
蚀刻加工,你必须要了解的精度和侧腐蚀
在蚀刻加工的工艺中,除不经任何防蚀处理的整体蚀刻方法外,都必须要注意防蚀层下蚀刻的“蔓延”问题,也就是我们常说的侧腐蚀。侧腐蚀的大小直接关系到图文的精度和蚀刻线条的极限尺寸。任一环节若有偏差,就有可能造成精度超差,今天兴之扬就为大家介绍一下铝网蚀刻加工中防蚀层的质量要求。通常把防蚀层下的水平方向的蚀刻宽度A称为侧蚀量,侧蚀量A与蚀刻深度H的比值就是侧蚀率F:F=A/H
式中:A为侧蚀刻量(mm),H为蚀刻深度(mm);F为侧蚀刻率或腐蚀因素,用以表示不同条件下侧蚀刻量与蚀刻深度之间的关系。
以上有关圆弧R的大小受蚀刻深度,被蚀刻窗口的小宽度与蚀刻深度的比值、蚀刻液的组成、蚀刻方法及材料种类等的影响较大。侧蚀刻的量决定了化学蚀刻的精度,侧蚀量越小,加工的精度越高,适用的范围就越宽,反之,加工的精度低,适用范围小。
侧蚀量的大小主要受金属材料的影响,在常用的几种金属材料中,以铜的侧蚀量小,铝的侧蚀量。选择更为优越的蚀刻剂,虽然蚀刻的速度提高并不明显,但的确可改善金属蚀刻加工的侧蚀量。
金属蚀刻加工喇叭网适合什么蚀刻工艺
金属蚀刻加工喇叭网,一般喇叭网是不锈钢的材质,这非常适合蚀刻工艺,金属蚀刻加工技术金属喇叭网兼有冲压和激光的长处,又避免上述二者的缺陷。是选用一种***显影后,经金属蚀刻加工的方法,不需要开模,不易变形,加工后孔壁刺,精度高,以及可以加工孔径很小的产品,但是只能加工1mm厚的材料,加工尺寸一般在450*600mm的范围里。就是兴之扬一家***蚀刻加工喇叭网的厂家,微孔直径能达到0.03mm,当然厚度与加工孔径有直接关系。当诱导期一过,单体的光聚合反响很快停止,胶膜的a度疾速增加,接近于突变的水平,这就是光敏单体急骤耗费阶段,这个阶段在***过程中所占的时间比例很小。
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