什么叫酸性蚀刻？

酸性蚀刻也叫氯化铜酸性蚀刻系统，通常使用于单面板蚀刻，多层板的内层蚀刻或Tenting流程的外层蚀刻上，因这些制程都用干膜或液态感光油墨作为蚀刻阻剂，而这几种感光材料相对而言均为耐酸不耐碱性的特性，故选用酸性蚀刻。

酸性蚀刻的种类：1.H2O2/HCI系列。2.NaCIO3/HCI系列。

酸性蚀刻制作流程：1、单面板：铜面前处理→印刷线路烘烤→固化酸性蚀刻→去膜2、内层和外层（Tenting流程）：铜面前处理→压膜→爆光→显影→酸性蚀刻→去膜。

兴之扬316不锈钢网片小编给大家介绍什么是二氧化硅的湿式蚀刻：

在微电子组件制作应用中，二氧化硅的湿式蚀刻通常采用HF溶液加以进行(5)。而二氧化硅可与室温的HF溶液进行反应，但却不会蚀刻硅基材及复晶硅。反应式如下：SiO2+6HF=H2+SiF6+2H2O

由于HF对二氧化硅的蚀刻速率相当高，在制程上很难控制，因此在实际应用上都是使用稀释后的HF溶液，或是添加NH4F作为缓冲剂的混合液，来进行二氧化硅的蚀刻。NH4F的加入可避免氟化物离子的消耗，以保持稳定的蚀刻速率。而无添加缓冲剂HF蚀刻溶液常造成光阻的剥离。典型的缓冲氧化硅蚀刻液(BOE:BufferOxideEtcher)(体积比6:1之NH4F(40%)与HF(49%))对于高温成长氧化层的蚀刻速率约为1000?/min。所谓内在性，是指一个公益流程必须要有其内在的特定内容，也可以说是内容的真实性。

在半导体制程中，二氧化硅的形成方式可分为热氧化及化学气相沉积等方式；而所采用的二氧化硅除了纯二氧化硅外，尚有含有杂质的二氧化硅如BPSG等。然而由于这些以不同方式成长或不同成份的二氧化硅，其组成或是结构并不完全相同，因此HF溶液对于这些二氧化硅的蚀刻速率也会不同。但一般而言，高温热成长的氧化层较以化学气相沉积方式之氧化层蚀刻速率为慢，因其组成结构较为致密。加上蚀刻效率偏低，因此，以纯物理性蚀刻方式在集成电路制造过程中很少被用到。

兴之扬蚀刻不锈钢网片小编给大家介绍什么是氮化硅的湿式蚀刻:

氮化硅可利用加热至180°C的磷酸溶液(85%)来进行蚀刻(5)。其蚀刻速率与氮化硅的成长方式有关，以电浆辅助化学气相沉积方式形成之氮化硅，由于组成结构(SixNyHz相较于Si3N4)较以高温低压化学气相沉积方式形成之氮化硅为松散，因此蚀刻速率较快许多。3)前制程相关参数，如光阻、待蚀刻薄膜之沉积参数条件、待蚀刻薄膜下层薄膜的型态及表面的平整度等。

但在高温热磷酸溶液中光阻易剥落，因此在作氮化硅图案蚀刻时，通常利用二氧化硅作为屏蔽。一般来说，氮化硅的湿式蚀刻大多应用于整面氮化硅的剥除。对于有图案的氮化硅蚀刻，还是采用干式蚀刻为宜。

兴之扬金属蚀刻网片小编给大家介绍湿式蚀刻过程可分为三个步骤：

1)化学蚀刻液扩散至待蚀刻材料之表面；2)蚀刻液与待蚀刻材料发生化学反应；3)反应后之产物从蚀刻材料之表面扩散至溶液中，并随溶液排出(3)。三个步骤中进行慢者为速率控制步骤，也就是说该步骤的反应速率即为整个反应之速率。

大部份的蚀刻过程包含了一个或多个化学反应步骤，各种形态的反应都有可能发生，但常遇到的反应是将待蚀刻层表面先予以氧化，再将此氧化层溶解，并随溶液排出，如此反复进行以达到蚀刻的效果。如蚀刻铝、硅时即是利用此种化学反应方式。