光刻胶概况

以下内容由赛米莱德为您提供，今天我们来分享光刻胶的相关内容，希望对同行业的朋友有所帮助！

光刻胶又称光致抗蚀剂,是光刻工艺的关键***,主要利用光化学反应将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上,被广泛应用于光电信息产业的微细图形线路的加工制作,下游主要用于集成电路、面板和分立器件的微细加工,同时在 LED、光伏、磁头及精密传感器等制作过程中也有广泛应用,是微细加工技术的关键性材料。光刻胶的主要成分为树脂、单体、光引发剂及添加助剂四类。其中,树脂约占 50%,单体约占35%,光引发剂及添加助剂约占15%。

光刻胶的作用

光刻开始于-种称作光刻胶的感光性液体的应用。 图形能被映射到光刻胶上，然后用一个developer就能做出需 要的模板图案。光刻胶又称光致抗蚀剂，是以智能

管感光材料，在光的照射与溶解度发生变化。

光刻胶成份

光刻胶通常有三种成分:感光化台物、基体材料和溶剂。在感光化台物中有时还包括增感剂。根据光刻胶按照如何响应紫外光的特性可以分为两类:负性光刻胶和

正性光刻胶。

1、负性光刻胶

主要有聚酸系(聚酯胶)和环化橡胶系两大类

2、正性光刻胶

主要以重氮醒为感光化台物，以酚醛树脂为基体材料。正胶的主要优点是分辨率高，缺点是灵敏度、耐刻蚀性和附着性等较差。

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光刻胶介绍

光刻胶可分为半导体光刻胶、面板光刻胶和PCB光刻胶。其中，半导体光刻胶的技术壁垒较高。

从技术水平来看，在PCB领域，国产光刻胶具备了一定的技术和量产能力，已经实现对主流厂商大批量供货。

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   光刻胶的主要技术参数

1．灵敏度（Sensitivity）

灵敏度是衡量光刻胶***速度的指标。光刻胶的灵敏度越高，所需的***剂量越小。单位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。

2．分辨率（resolution）

区别硅片表面相邻图形特征的能力。一般用关键尺寸（CD，Critical Dimension）来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。

光刻胶的分辨率是一个综合指标，影响该指标的因素通常有如下3个方面：

(1) ***系统的分辨率。

(2) 光刻胶的对比度、胶厚、相对分子质量等。一般薄胶容易得到高分辨率图形。

(3) 前烘、***、显影、后烘等工艺都会影响光刻胶的分辨率。  

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