在半导体领域的应用：碳化硅一维纳米材料由于自身的微观形貌和晶体结构使其具备更多独特的优异性能和更加广泛的应用前景，被普遍认为有望成为第三代宽带隙半导体材料的重要组成单元。第三代半导体材料即宽禁带半导体材料，又称高温半导体材料，主要包括碳化硅、氮化、氮化铝、氧化锌、金刚石等。

这类材料具有宽的禁带宽度、高的热导率、高的击穿电场、高的抗辐射能力、高的电子饱和速率等特点，适用于高温、高频、抗辐射及大功率器件的制作。第三代半导体材料凭借着其优异的特性，未来应用前景十分广阔。碳化硅可用于单晶硅、多晶硅、钾、石英晶体等、太阳能光伏产业、半导体产业、压电晶体产业工程性加工材料。

绿碳化硅是以石油焦和硅石为主要原料，添加作为添加剂，通过电阻炉高温冶炼而成。其硬度介于刚玉和金刚石之间，机械强度高于刚玉。用绿碳化硅高温，强度，良好的导热性和耐冲击性，高温间接加热材料；应用在钢铁工业。用绿碳化硅的耐腐蚀，热冲击耐磨性和良好的导热性能，提高使用寿命的大型高炉；应用在冶金矿石加工。绿碳化硅具有较强的耐磨性，硬度次于金刚石，是理想的材料。

碳化硅有黑碳化硅和绿碳化硅两个常用品种，都属α-SiC。①黑碳化硅含SiC约98。5％，其韧性高于绿碳化硅，大多用于加工抗张强度低的材料，如玻璃、陶瓷、石材、耐火材料、铸铁和有色金属等。②绿碳化硅含SiC99％以上，自锐性好，大多用于加工硬质合金、钛合金和光学玻璃，也用于研磨汽缸套和精磨高速具。

此外还有立方碳化硅，它是以特殊工艺制取的黄绿色晶体，用以制作的磨具适于轴承的超精加工，可使表面粗糙度从Ra32～0。16微米一次加工到Ra0。04～0。02微米。碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，除作磨料用外，还有很多其他用途。