蚀刻机和光刻机的区别
这俩设备非常简单的表述便是光刻机把原理图投射到遮盖有光刻胶的硅片上边,刻蚀机再把刚刚画了原理图的硅片上的不必要原理图浸蚀掉,那样看上去好像没有什么难的,可是有一个品牌形象的形容,每一块集成ic上边的电源电路构造变大成千上万倍看来比全部北京市都繁杂,这就是这光刻和蚀刻加工的难度系数。
光刻的全过程就是目前制做好的硅圆表面涂上一层光刻胶(一种能够被光浸蚀的胶状***学物质),下面根据光源(加工工艺难度系数紫外线<深紫外线<极紫外线)通过掩膜照射硅圆表面(相近投射),由于光刻胶的遮盖,照射的一部分被浸蚀掉,沒有阳光照射的一部分被留下,这一部分就是必须 的电源电路构造。
蚀刻加工分成二种,一种是干刻,一种是湿刻(现阶段流行),说白了,湿刻便是全过程中存水添加,将上边历经光刻的圆晶与特殊的化学溶液反映,除掉不用的一部分,剩余的就是电源电路构造了,干刻现阶段都还没完成商业服务批量生产,其基本原理是根据等离子技术替代化学溶液,除去不用的硅圆一部分。
蚀刻机可以分为化学蚀刻机及电解蚀刻机两类。在化学蚀刻中是使用化学溶液,经由化学反应以达到蚀刻的目的,化学蚀刻机是将材料用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。
光刻机(Mask Aligner) 又名:掩模对准***机,***系统,光刻系统等。常用的光刻机是掩膜对准光刻,所以叫 Mask Alignment System.一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准***、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。Photolithography(光刻) 意思是用光来制作一个图形(工艺);在硅片表面匀胶,然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时""到硅片上的过程。
光栅刻画:光学中光栅通常的作用是色散。光栅刻划是制作光栅的方法之一。
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