蚀刻机和光刻机的区别
这俩设备非常简单的表述便是光刻机把原理图投射到遮盖有光刻胶的硅片上边,刻蚀机再把刚刚画了原理图的硅片上的不必要原理图浸蚀掉,那样看上去好像没有什么难的,可是有一个品牌形象的形容,每一块集成ic上边的电源电路构造变大成千上万倍看来比全部北京市都繁杂,这就是这光刻和蚀刻加工的难度系数。
光刻的全过程就是目前制做好的硅圆表面涂上一层光刻胶(一种能够被光浸蚀的胶状***学物质),下面根据光源(加工工艺难度系数紫外线<深紫外线<极紫外线)通过掩膜照射硅圆表面(相近投射),由于光刻胶的遮盖,照射的一部分被浸蚀掉,沒有阳光照射的一部分被留下,这一部分就是必须 的电源电路构造。
蚀刻加工分成二种,一种是干刻,一种是湿刻(现阶段流行),说白了,湿刻便是全过程中存水添加,将上边历经光刻的圆晶与特殊的化学溶液反映,除掉不用的一部分,剩余的就是电源电路构造了,干刻现阶段都还没完成商业服务批量生产,其基本原理是根据等离子技术替代化学溶液,除去不用的硅圆一部分。
平面图弹是运用于高精密电子器件通信.学.电子光学.地质勘探及其电动机等领域的高精密零部件,也称平面图弹簧。一般选用薄厚较薄的金属原材料开展生产加工,有不锈钢板和合金铜的材料。由于生产加工原材料较薄,非常容易形变,因而一般会挑选蚀刻机生产加工开展制做。选用金属有机化学蚀刻开展生产加工的平面图弹,高精度,不会改变。金属蚀刻中,蚀刻液的浓度值.溫度.纯净度都是会危害零件蚀刻加工的精密度,为了更好地获得达标的,优良的蚀刻加工实际效果与生产制造合格率,提议加工厂家每月少开展一次金属蚀刻液清槽。
实际金属蚀刻液清槽工艺流程如下所示:
1.将蚀刻加工槽内的金属蚀刻液抽出来过虑储放于密封器皿内。
2.槽内加水﹐并运行蚀刻加工马达循环系统约10min。
3.将槽内的液态排出掉。
4.加水再添加HCl10%水溶液﹐运行蚀刻加工马达循环系统约30min。
5.排出来四流程的液态。
6.加水并运行蚀刻加工马达循环系统约10min。
7.将槽液排出掉。
8.加水加上3-5%或子液中合﹐并运行蚀刻加工马达循环系统约30min。
9.将槽液排出掉。
10.加水并运行蚀刻加工马达循环系统约10min。
11.将槽液排出掉。
12.添加新的金属蚀刻液。
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