蚀刻机和光刻机的区别
这俩设备非常简单的表述便是光刻机把原理图投射到遮盖有光刻胶的硅片上边,刻蚀机再把刚刚画了原理图的硅片上的不必要原理图浸蚀掉,那样看上去好像没有什么难的,可是有一个品牌形象的形容,每一块集成ic上边的电源电路构造变大成千上万倍看来比全部北京市都繁杂,这就是这光刻和蚀刻加工的难度系数。
光刻的全过程就是目前制做好的硅圆表面涂上一层光刻胶(一种能够被光浸蚀的胶状***学物质),下面根据光源(加工工艺难度系数紫外线<深紫外线<极紫外线)通过掩膜照射硅圆表面(相近投射),由于光刻胶的遮盖,照射的一部分被浸蚀掉,沒有阳光照射的一部分被留下,这一部分就是必须 的电源电路构造。
蚀刻加工分成二种,一种是干刻,一种是湿刻(现阶段流行),说白了,湿刻便是全过程中存水添加,将上边历经光刻的圆晶与特殊的化学溶液反映,除掉不用的一部分,剩余的就是电源电路构造了,干刻现阶段都还没完成商业服务批量生产,其基本原理是根据等离子技术替代化学溶液,除去不用的硅圆一部分。
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