蚀刻机和光刻机的区别

这俩设备非常简单的表述便是光刻机把原理图投射到遮盖有光刻胶的硅片上边，刻蚀机再把刚刚画了原理图的硅片上的不必要原理图浸蚀掉，那样看上去好像没有什么难的，可是有一个品牌形象的形容，每一块集成ic上边的电源电路构造变大成千上万倍看来比全部北京市都繁杂，这就是这光刻和蚀刻加工的难度系数。 光刻的全过程就是目前制做好的硅圆表面涂上一层光刻胶(一种能够被光浸蚀的胶状***学物质)，下面根据光源(加工工艺难度系数紫外线＜深紫外线＜极紫外线)通过掩膜照射硅圆表面(相近投射)，由于光刻胶的遮盖，照射的一部分被浸蚀掉，沒有阳光照射的一部分被留下，这一部分就是必须 的电源电路构造。 蚀刻加工分成二种，一种是干刻，一种是湿刻(现阶段流行)，说白了，湿刻便是全过程中存水添加，将上边历经光刻的圆晶与特殊的化学溶液反映，除掉不用的一部分，剩余的就是电源电路构造了，干刻现阶段都还没完成商业服务批量生产，其基本原理是根据等离子技术替代化学溶液，除去不用的硅圆一部分。

很多的涉及到蚀刻品质层面的难题都集中化在蚀刻机上表面上被蚀刻的一部分。掌握这一点是十分关键的。这种难题来源于pcb电路板的上表面蚀刻剂所造成的胶状物结块物的危害。胶状物结块物堆积在铜表层上，一方面危害了喷涌力，另一方面阻挡了新鮮蚀刻液的填补，导致了蚀刻速率的减少。恰好是因为胶状物结块物的产生和堆积促使木板的上下边图型的蚀刻水平不一样。这也促使在蚀刻机中木板***到的一部分非常容易蚀刻的完全或非常容易导致过浸蚀，由于那时候堆积并未产生，蚀刻速率较快。相反，木板后进到的一部分进到时堆积已产生，并缓减其蚀刻速率。

蚀刻机维护***的首要条件便是要确保喷嘴的清理，无堵塞物进而喷涌顺畅。堵塞物或结渣会在喷涌工作压力***下冲击性版块。倘若喷嘴不干净的，那麼会导致蚀刻不匀称而使一整块PCB损毁。

显著地，蚀刻机的维护***便是拆换损坏件和损坏件，包含拆换喷嘴，喷嘴一样存有损坏的难题。此外，更加重要的难题是维持蚀刻机不会有结渣，在很多状况下都是会发生结渣堆积.结渣堆积太多，乃至会对蚀刻液的化学反应平衡造成危害。一样,假如蚀刻液发生过多的有机化学不平衡，结渣便会更加比较严重。结渣堆积的难题如何注重都但是分。一旦蚀刻液突然冒出很多结渣的状况，一般 是一个数据信号，即水溶液的均衡发生难题。这就应当用极强的***作适度地清理或对水溶液开展加补。残膜还可以造成结渣物，少量的残膜溶解蚀刻液中，随后产生铜盐沉积。残膜所产生的结渣表明前道去膜工艺流程不完全。去膜欠佳通常是边沿膜与过电镀工艺一同导致的結果。

NH4Cl浓度对蚀刻的影响：从溶液再生的化学反应式可以看出，[Cu(NH3)2]-的再生过程需要有大量的NH3-H2O和NH4Cl的存在，如果蚀刻机药液缺乏NH4Cl，将使[Cu(NH3)2]-得不到再生，蚀刻速度就会降低，以至于失去蚀刻能力。所以，NH4Cl的含量对蚀刻速度影响很大。但是，溶液中Cl-含量过高会引起抗蚀层侵蚀，一般浓度控制在150g/L左右为宜。

温度对蚀刻速度的影响：当蚀刻温度低于40℃时，蚀刻速度很慢，而蚀刻速率过慢会增大侧蚀量，影响蚀刻精度。温度高于60℃，蚀刻速率明显加快，但氨的挥发量也大大增加，导致环境污染的同时使溶液中化学成分比例失调，故一般蚀刻机工作温度控制在45℃~55℃为宜。