什么是蚀刻机

或许在很多人看来，刻蚀技术并不如光刻机那般“”，但刻蚀在芯片的加工和生产过程中同样不可或缺。刻蚀机主要工作是按照前段光刻机“描绘”出来的线路来对晶片进行更深入的微观雕刻，刻出沟槽或接触孔，然后除去表面的光刻胶，从而形成刻蚀线路图案。

在芯片制造领域，光刻机像是前端，而蚀刻机就是后端。光刻机的作用是把电路图描绘至覆盖有光刻胶的硅片上，而蚀刻机的作用就是按照光刻机描绘的电路图把硅片上其它不需要的光刻胶腐蚀去除，完成电路图的雕刻转移至硅片表面。两者一个是设计者，一个是执行者，整个芯片生产过程中，需要重复使用两种设备，直至将完整的电路图蚀刻到硅晶圆上为止。

目前，我国在蚀刻机领域已达到世界***水平，尤其是中微半导体成功突破研制的5nm蚀刻机已于其它企业，而且得到了台积电的验证。真正面临技术挑战，也是被卡脖子的领域是光刻机。不过日前中科院院长白春礼表示，已将光刻机等技术难度较高的产品列入科研清单，未来将集中力量对这些“卡脖子”的技术进行攻关。相信未来光刻机技术也会实现重大突破。

视网***区之外的电磁波，包括紫外线和长波红外线(Far infrared)，则可能使眼睛的前方部分受伤。有些波段会伤害水晶体(Lens)，295nm至320nm以及1μm至2μm的辐射尤其严重。波段相当广的紫外线，以及波长大于1400nm的红外线，可能伤害膜。只伤及膜表皮时，一两天内就能修复，而使视力完全***。如果膜的较深层部位发生显著伤害，会造成膜瘢痕(Corneal scar)，而导致失明。

红外线的***穿透深度(Penetration depth)方面，1,440 nm(如某些半导体激光)、1,540 nm(如铒-玻璃激光)、2,100 nm(如钬-雅克激光)均大于10,600 nm(二氧化碳激光)，所以者造成性伤害的***性比较高[1]。308 nm的氯化氙(XeCl)激光束，会使水晶体立即产生(Cataract)，所以还具有额外的***性。(Argon)、离子(Krypton)、KTP倍频(Double frequency)、铜蒸汽(Copper vapor)、金蒸汽(Gold vapor)、氦(Heliun-Neon)、钕-雅克(Nd:YAG)等激光，对于视网都具有潜在***性。铒-雅克(Er:YAG)、铒-氟化钇锂(Er:YLF)、钬-雅克(Ho:YAG)、(HF)、二氧化碳(CO2)、(CO)等激光，则对膜有***性。

蚀刻速率：蚀刻速率慢会造成严重侧蚀。蚀刻质量的提高与蚀刻速率的加快有很大关系。蚀刻速度越快，板子在蚀刻液中停留的时间越短，侧蚀量越小，蚀刻出的图形清晰整齐。

4)蚀刻液的PH值：碱性蚀刻液的PH值较高时，侧蚀增大。峁见图10-3为了减少侧蚀，一般PH值应控制在8.5以下。

5)蚀刻液的密度：碱性蚀刻液的密度太低会加重侧蚀，见图10-4，选用高铜浓度的蚀刻液对减少侧蚀是有利的.

6)铜箔厚度：要达到侧蚀的细导线的蚀刻，采用(超)薄铜箔。而且线宽越细，

铜箔厚度应越薄。因为，铜箔越薄在蚀刻液中的时间越短，侧蚀量就越小。