***近光刻机和蚀刻机一直都是当前***热的话题，可以说光刻机是芯片制造的魂，蚀刻机是芯片制造的魄，要想制造的芯片，这两个东西都必须。    这俩机器***简单的解释就是光刻机把电路图投影到覆盖有光刻胶的硅片上面，刻蚀机再把刚才画了电路图的硅片上的多余电路图腐蚀掉，这样看起来似乎没什么难的，但是有一个形象的比喻，每一块芯片上面的电路结构放大无数倍来看比整个北京都复杂，这就是这光刻和蚀刻的难度。    光刻的过程就是现在制作好的硅圆表面涂上一层光刻胶（一种可以被光腐蚀的胶状物质），接下来通过光线（工艺难度紫外光＜深紫外光＜极紫外光）透过掩膜照射到硅圆表面（类似投影），因为光刻胶的覆盖，照射到的部分被腐蚀掉，没有光照的部分被留下来，这部分便是需要的电路结构。    蚀刻分为两种，一种是干刻，一种是湿刻（目前主流），顾名思义，湿刻就是过程中有水加入，将上面经过光刻的晶圆与特定的化学溶液反应，去掉不需要的部分，剩下的便是电路结构了，干刻目前还没有实现商业量产，其原理是通过等离子体代替化学溶液，去除不需要的硅圆部分。






国内生产刻蚀机水平高的企业为中微半导体设备（上海）有限公司（这家同样是有国资背景的企业，前两大股东也是国有企业，所以有人说我国光刻机没发展起来是因为国企的原因，这是不对的，中微半导体也可以说是国企，但是刻蚀机的技术水平是世界水平的。国内刻蚀机的发展离不开尹志尧为代表的几十位海归技术。尹志尧曾经担任应用材料的公司副总裁（应用材料是半导体设备厂商老大），参与***几代等离子体刻蚀设备的开发，在美国工作时就持有86项。2004年回来之后，***牵头设立了中微半导体公司，尹志尧等人重新投入研发刻蚀机，仅仅用了3年的时间就做出了世界的刻蚀机，为此美国人无法接受，还起诉了中微半导体侵权，但是终的验证结果是没有任何的侵权。（这才是中微半导体比上海微电子发展快的原因，毕竟上海微电子的没有人才在荷兰的A***L工作过，也许正是因为这件事，所以美国现在禁止A***L招聘中国的员工）。我国的刻蚀机技术位于，中微半导体的介质刻蚀机赢进入台积电7nm、10nm的生产线，中微半导体的刻蚀机制造工艺达到了5nm，已经通过了台积电的验证

有机化学蚀刻机加工工艺的主要全过程：

流程一：清理解决:五金蚀刻设备厂家将待腐蚀零件毛胚表层的各类污垢清理整洁，以确保防蚀层能与金属表层 的附着力均勻一致，并使蚀刻加工速率匀称不会改变。常见的清理解决力法有:有机溶液清理，偏碱有机化学清理，酸碱性有机化学清理，超音波清理及电解法清理解决等D在应用全过程中可依据零件金属复合材料种类及零件表层的***水平各自挑选。

流程二：防蚀解决:其意义是维护这些不用腐蚀加工的表层，使必须腐蚀加工的金属表层曝餚出去，而被与金属复合材料相一致的腐蚀剂所腐蚀。这一工艺流程规定:防蚀原材料要与金属表层黏附坚固，并在全部腐蚀全过程中不可能产生防蚀层剥落状况。防蚀解决具体包含：油墨印刷防蚀技术性，拍照有机化学防蚀技术性，移印防蚀技术，图型电镀工艺防蚀技术性，激光器光刻技术防蚀技术性及刻画防蚀层技术性等。

流程三：腐蚀加工:是将被腐蚀金属材料零件按设计图纸需求制造好防蚀文图后，放人腐蚀槽中开展腐蚀加工的全过程。在这里一工艺流程中关键操纵:腐蚀剂浓度值，腐蚀溫度，蚀刻加工時间等金属材料腐蚀加工依据设计图纸规定可分成五种基本上种类，即:总体腐蚀，挑选腐蚀，多阶梯腐蚀，光洁度腐蚀和有机化学激光切割开料。金属材料腐蚀+必须开展防蚀解决，零件经清理解决后就能开展腐蚀加工。

流程四：消除防蚀层:零件经腐蚀达标后，应用，溶液或别的清洁液将零件表层的防蚀层除掉。

古时候对五金蚀刻设备厂家技术性的运用是一种随机性，在某大家将酸一不小心喷撒在金属材料上边发觉酸能够将喷撒的地区腐蚀砍断，断的地区与沒有断的地区产生了立体式的觉得。随后大家就细心的把这类状况纪录的出来。接着发觉了具备强碱型的无级酸，也就是防腐蚀的化学物质，历经持续的试验和改善，逐渐的运用到具体日常生活，给大家的日常生活产生了非常大的便捷。

用一种液态去清除一种或多种多样金属复合材料的概率，在于这类化学物质的效率，换句话说这类化学物质的腐蚀性。仅有这类化学物质的腐蚀性充足强才有可能被运用成做蚀刻机技术性的化工原料。从这也得知，有机化学腐蚀的重特大发展趋势全是因为有机化学蚀刻机技术性液的发展趋势所获得的立即成效。除此之外第二个关键性***的是防腐涂料的发觉和发展趋势，由于这操纵着大家对同一金属材料上有目的性的部分腐蚀才可以真真正正生产制造加工出大家所必须的商品，因而安全防护原材料是非常关键的。自打拥有腐蚀加工技术性至今，安全防护技术性及腐蚀加工工艺方式一直全是确保加工品质的管材。