等离子刻蚀机，又叫等离子蚀刻机、等离子平面刻蚀机、等离子体刻蚀机、等离子表面处理仪、等离子清洗系统等。等离子刻蚀，是干法刻蚀中常见的一种形式，其原理是暴露在电子区域的气体形成等离子体，由此产生的电离气体和释放高能电子组成的气体，从而形成了等离子或离子，电离气体原子通过电场加速时，会释放足够的力量与表面驱逐力紧紧粘合材料或蚀刻表面。某种程度来讲，等离子清洗实质上是等离子体刻蚀的一种较轻微的情况。进行干式蚀刻工艺的设备包括反应室、电源、真空部分。工件送入被真空泵抽空的反应室。气体被导入并与等离子体进行交换。等离子体在工件表面发生反应，反应的挥发性副产物被真空泵抽走。等离子体刻蚀工艺实际上便是一种反应性等离子工艺。近期的发展是在反应室的内部安装成搁架形式，这种设计的是富有弹性的，用户可以移去架子来配置合适的等离子体的蚀刻方法：反应性等离子体（RIE），顺流等离子体（downstream），直接等离子体（direction pla***a）。

什么是蚀刻机

或许在很多人看来，刻蚀技术并不如光刻机那般“”，但刻蚀在芯片的加工和生产过程中同样不可或缺。刻蚀机主要工作是按照前段光刻机“描绘”出来的线路来对晶片进行更深入的微观雕刻，刻出沟槽或接触孔，然后除去表面的光刻胶，从而形成刻蚀线路图案。

在芯片制造领域，光刻机像是前端，而蚀刻机就是后端。光刻机的作用是把电路图描绘至覆盖有光刻胶的硅片上，而蚀刻机的作用就是按照光刻机描绘的电路图把硅片上其它不需要的光刻胶腐蚀去除，完成电路图的雕刻转移至硅片表面。两者一个是设计者，一个是执行者，整个芯片生产过程中，需要重复使用两种设备，直至将完整的电路图蚀刻到硅晶圆上为止。

目前，我国在蚀刻机领域已达到世界***水平，尤其是中微半导体成功突破研制的5nm蚀刻机已于其它企业，而且得到了台积电的验证。真正面临技术挑战，也是被卡脖子的领域是光刻机。不过日前中科院院长白春礼表示，已将光刻机等技术难度较高的产品列入科研清单，未来将集中力量对这些“卡脖子”的技术进行攻关。相信未来光刻机技术也会实现重大突破。

蚀刻机和光刻机的区别

这俩设备非常简单的表述便是光刻机把原理图投射到遮盖有光刻胶的硅片上边，刻蚀机再把刚刚画了原理图的硅片上的不必要原理图浸蚀掉，那样看上去好像没有什么难的，可是有一个品牌形象的形容，每一块集成ic上边的电源电路构造变大成千上万倍看来比全部北京市都繁杂，这就是这光刻和蚀刻加工的难度系数。 光刻的全过程就是目前制做好的硅圆表面涂上一层光刻胶(一种能够被光浸蚀的胶状***学物质)，下面根据光源(加工工艺难度系数紫外线＜深紫外线＜极紫外线)通过掩膜照射硅圆表面(相近投射)，由于光刻胶的遮盖，照射的一部分被浸蚀掉，沒有阳光照射的一部分被留下，这一部分就是必须 的电源电路构造。 蚀刻加工分成二种，一种是干刻，一种是湿刻(现阶段流行)，说白了，湿刻便是全过程中存水添加，将上边历经光刻的圆晶与特殊的化学溶液反映，除掉不用的一部分，剩余的就是电源电路构造了，干刻现阶段都还没完成商业服务批量生产，其基本原理是根据等离子技术替代化学溶液，除去不用的硅圆一部分。