电力金具对漂移区电场强度的压缩有限
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由于电力金具层的浓度较低,对漂移区电场强度的压缩有限,故结处的电场峰值较低。的正向阻断电压就是梯形电场强度分布的面积。与的主要区别在于缓冲层和层有所不同。由于缓冲层的浓度较高(在以上)、厚度较薄(约为μ),所以,缓冲层不仅压缩漂移区的电场,还可以阻挡集电区的空穴注入,降低集电的空穴注入效率;而中的层的浓度较低(通常在以下),且厚度随耐压而变化,因此,层不会降低集电区的空穴注入效率,仅仅起压缩漂移区电场的作用,并且压缩程度有限,故称为场阻止层表对比了三种不同耐压结构的主要特点、制作工艺及特性。从成本而言,结构采用外延材料,虽然衬底成本高,但工艺简单,一般情况下不需要减薄工艺,故工艺成本较低。但当衬底较厚时,为了降低热阻,也可采用减薄工艺来减小集电区厚度。
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电力金具是近乎理想的电力半导体器件
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因电力金具输入端采用结构,输出端采用双晶体管结构,因而综合了和两者的共同优点,集的栅电压驱动简单和双晶体管的低导通电阻于一体,具有阻断电压高、电流容量大、驱动功率小、开关损耗低、工作频率高以及工作区宽等优点,是近乎理想的电力半导体器件,是日前双型功率器件的主要发展方向之一,有十分广阔的应用前景。目前,从的单管到的模块,在电压范围内以上的中频领域内可取代功率、功率双晶体管及晶闸管。采用开发的相关电力电子设备,以其的、不可取代的特殊功能,几乎应用于国民经济的各个领域,包括通信、工业、、家电、照明、交通、新能源、半导体生产设备、航空、航天及等诸多领域纵向结构纵向结构与器件特性密切相关,决定了器件的耐压、饱和电压及开关速度。
电力金具空间光电离越来越强烈
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电力金具材料的影响根据流注理论,维持放电自持的是空间光电离,而不是阴表面的电离过程,这可说明为何大pd值下击穿电压和阴材料基本无关了。流注理论和汤逊理论相互补充,可以说明广阔的pd值范围内,放电的不同实验现象。d值很小,即压力很小或间隙距离很短时,电子崩过程中散发出来的光子不易为气体吸收而容易到达阴,引起表面电离。金属表面光电离比气体空间光电离来得容易。此外气压低时带电质点容易扩散,电子崩头部电荷密度不易达到足够的数值。所以在流注出现之前,就可由阴上的过程导致自持放电。
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