上海明达微电子有限公司所供的全部产品的特点是：抗干扰能力强，抗静电能力强，电参数性能稳定，上机率高，工作失效率低。公司将不断打造自己的品牌，拓宽销售市场，让客户用得满意，用的放心。

LDO的电路原理及特性：

原则上，只要有线性特性的器件都可以，所以BJT和MOSFET都可以，但是BJT主要因为它是电流控制型不符合低功耗的要求，而且驱动电流比较大，所以Vin和Vout的差值还是太高，所以现在都采用MOSFET。至于该采用NMOS还是PMOS主要还是取决于压差，通常选用PMOS。因为PMOS的dropout电压是就是饱和压降，大约是200mV，而NMOS由于drop-out电压受到了误差放大器输出电压的限制（误差放大器的输出电压为大只能达到其电源电压，即LDO的输入电压），所以drop-out电压大小为NMOS的Vgs，所以就没有PMOS的优势了。当然也可以引入charge-pump提高误差放大器的电源电压来解决但是提高了复杂度和成本，但是NMOS调整管的PSRR(电源***比)比PMOS好。实际上各个CPU的体系结构相差很大，衡量性能的方式也不尽相同，所以，我们还应该进一步分析一些细节。

另一种常用的时钟技术就是可变频率时钟。它根据系统性能要求，配置适当的时钟频率以避免不必要的功耗。门控时钟实际上是可变频率时钟的一种极限情况(即只有零和1高频率两种值)，因此，可变频率时钟比门控时钟技术更加有效，但需要系统内嵌时钟产生模块PLL，增加了设计复杂度。当工作电压已经比较接近阈值电压，为了使工作电压有足够的下降空间，应该降低阔值电压。