上海明达微电子有限公司所供的全部产品的特点是：抗干扰能力强，抗静电能力强，电参数性能稳定，上机率高，工作失效率低。公司将不断打造自己的品牌，拓宽销售市场，让客户用得满意，用的放心。

同步整流技术

开关电源的损耗主要由3部分组成：功率开关管的损耗，高频变压器的损耗，输出端整流管的损耗。在低电压、大电流输出的情况下，整流二极管的导通压降较高，输出端整流管的损耗尤为突出。快***二极管（FRD）或超快***二极管（SRD）可达1.0～1.2V，即使采用低压降的肖特基二极管（SBD），也会产生大约0.6V的压降，这就导致整流损耗增大，电源效率降低。

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同步整流是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET，来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。它能大大提高DCDC变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。

同步整流的基本电路结构：

　　功率MOSFET属于电压控制型器件，它在导通时的伏安特性呈线性关系。用功率MOSFET做整流器时，要求电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能，故称之为同步整流。

上海明达微电子有限公司所供的全部产品的特点是：抗干扰能力强，抗静电能力强，电参数性能稳定，上机率高，工作失效率低。公司将不断打造自己的品牌，DCDC升压电路，拓宽销售市场，让客户用得满意，用的放心。

近几年来，随著半导体技术的发展，表面贴装的电感器、电容器、以及高集成度的电源控制芯片的成本不断降低，体积越来越小。由于出现了导通电阻很小的M O S F E T可以输出很大功率，因而不需要外部的大功率F E T。例如对于3 V的输入电压，利用芯片上的N F E T可以得到5 V/2 A的输出。其次，对于中小功率的应用，可以使用成本低小型封装。另外，如果开关频率提高到1 MHz，还能够降低成本、可以使用尺寸较小的电感器和电容器。有些新器件还增加许多新功能，如软启动、限流、P F M或者P W M方式选择等。

总的来说，升压是一定要选DC-DC的，降低压，是选择DC-DC还是L DO，要在成本，效率，噪声和性能上比较。

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