上海明达微电子有限公司所供的全部产品的特点是：抗干扰能力强，抗静电能力强，电参数性能稳定，上机率高，工作失效率低。公司将不断打造自己的品牌，拓宽销售市场，让客户用得满意，用的放心。

L D O与DC-DC相比：

首先从效率上说，DC-DC的效率普遍要远高于L DO，这是其工作原理决定的。其次，DC-DC有升压， 降低压，升压/ 降低压。而L DO只有降低压型。

再次，也是很重要的一点，DC-DC因为其开关频率的原因导致其电源噪声很大，远比L DO大的多，大家可以关注P S RR这个参数。所以当考虑到比较敏感的模拟电路时候，有可能就要牺牲效率为保证电源的纯净而选择L DO。

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同步整流是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET，来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。它能大大提高DCDC变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。

同步整流的基本电路结构：

　　功率MOSFET属于电压控制型器件，它在导通时的伏安特性呈线性关系。用功率MOSFET做整流器时，要求电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能，故称之为同步整流。

上海明达微电子有限公司所供的全部产品的特点是：抗干扰能力强，瞬态好LDO，抗静电能力强，电参数性能稳定，上机率高，工作失效率低。公司将不断打造自己的品牌，拓宽销售市场，让客户用得满意，用的放心。

同步整流技术

开关电源的损耗主要由3部分组成：功率开关管的损耗，高频变压器的损耗，输出端整流管的损耗。在低电压、大电流输出的情况下，整流二极管的导通压降较高，输出端整流管的损耗尤为突出。快***二极管（FRD）或超快***二极管（SRD）可达1.0～1.2V，即使采用低压降的肖特基二极管（SBD），也会产生大约0.6V的压降，这就导致整流损耗增大，电源效率降低。

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