上海明达微电子有限公司所供的全部产品的特点是：抗干扰能力强，抗静电能力强，电参数性能稳定，40V高耐压LDO，上机率高，工作失效率低。公司将不断打造自己的品牌，拓宽销售市场，让客户用得满意，用的放心。

LDO的电路原理及特性：

原则上，只要有线性特性的器件都可以，所以BJT和MOSFET都可以，但是BJT主要因为它是电流控制型不符合低功耗的要求，而且驱动电流比较大，所以Vin和Vout的差值还是太高，所以现在都采用MOSFET。至于该采用NMOS还是PMOS主要还是取决于压差，通常选用PMOS。因为PMOS的dropout电压是就是饱和压降，大约是200mV，而NMOS由于drop-out电压受到了误差放大器输出电压的限制（误差放大器的输出电压为大只能达到其电源电压，即LDO的输入电压），所以drop-out电压大小为NMOS的Vgs，所以就没有PMOS的优势了。当然也可以引入charge-pump提高误差放大器的电源电压来解决但是提高了复杂度和成本，但是NMOS调整管的PSRR(电源***比)比PMOS好。

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随着计算机技术和微电子技术的迅速发展，嵌入式系统应用领域越来越广泛。节能是***化的热潮，如计算机里的许多芯片过去用5V供电，现在用3.3V、1.8V，并提出了绿色系统的概念。很多厂商很注重微控制器的低功耗问题。电路与系统的低功耗设计一直都是电子工程技术人员设计时需要考虑的重要因素。

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LDO的电路原理及特性：

可是如何实现自动调整Vout？这就需要两个电阻R1/R2组成的取样电压接入误差放大器同相端，然后外面给个参考电压接入误差放大器的反向端(极性不能反否则无法放大，如果是NMOS则反过来接)，只要Vout发生变化则取样电压与Vref (可由bandgap产生)的电压差就会被放大输出给gate从而调整晶体管的输入输出特性达到调整Vout的效果。这是一个动态校正的过程，所以才叫做稳压器。

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