明达微电子有限公司(多图)-温州NBIOT专用超低功耗LDO
作者:上海明达微电子2020/3/8 23:45:20

上海明达微电子有限公司所供的全部产品的特点是:抗干扰能力强,抗静电能力强,电参数性能稳定,上机率高,工作失效率低。公司将不断打造自己的品牌,NBIOT专用超低功耗LDO,拓宽销售市场,让客户用得满意,用的放心。

LDO的电路原理及特性:


原则上,只要有线性特性的器件都可以,所以BJT和MOSFET都可以,但是BJT主要因为它是电流控制型不符合低功耗的要求,而且驱动电流比较大,所以Vin和Vout的差值还是太高,所以现在都采用MOSFET。至于该采用NMOS还是PMOS主要还是取决于压差,通常选用PMOS。因为PMOS的dropout电压是就是饱和压降,大约是200mV,而NMOS由于drop-out电压受到了误差放大器输出电压的限制(误差放大器的输出电压为大只能达到其电源电压,即LDO的输入电压),所以drop-out电压大小为NMOS的Vgs,所以就没有PMOS的优势了。当然也可以引入charge-pump提高误差放大器的电源电压来解决但是提高了复杂度和成本,但是NMOS调整管的PSRR(电源***比)比PMOS好。







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在某些应用中,比如无线电通信设备通常只有一足电池供电,但各部分电路常常采用互相隔离的不同电压,因此必须由多只稳压器供电。为了节省共电池的电量,通常设备不工作时,都希望低压差线性稳压器工作于睡眠状态。为此,要求线性稳压器具有使能控制端。有单组蓄电池供电的多路输出且具有通断控制功能的供电系统.




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物联网的各种应用正在扩大发酵中,像是智能家居、智慧交通、智慧建筑、智慧零售等等相关应用的发展都非常火热。这些物联网应用,也带动了低功耗物联网技术的发展。低功耗传感器的需求也正在快速攀升中。因此,相关组件开发商也开始积极投入新产品研发,希望促成更多智慧联网应用。




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