IGBT在关断的动态过程中也会产生掣住效应。动态掣住效应所允许的 漏极电流比静态时小，因此，制造厂家所规定的k值一般是按动态掣住效应所允许的***大 漏极电流确定的。IGBT关断时，MOSFET的关断十分迅速，• IGBT的总电流也很快减小为 零。与此相应，J2结上的反向甩压也在迅速建立，此电压建立的快慢与IGBT所能承受的 重加电压变化率dUj^/dt有关：dLb/由越大，J2结上的反向电压_建立得越快；伹祠时的dLTns/df在J2结土引起的位移电流C,2，越大。此位移电流为空穴电流，也称作dLk/di电流。当cff/Es/di电流流过体区扩展电阻只br时，就会产生足以使晶体管开通的正向偏 置电压，从而满足寄生晶闸管开通掣住的条件。画此可-，动态挥輊中掣住现象的产生主要 由dUcs/ck来决定。除此之外还有温度的影响，当温度过高时pk?和NPN晶体管的泄漏电 流也会使寄生晶闸管产生导通掣住的现象。
从上述的讨论可以看出，当采用IGBT进行高频整流时，也命出现与晶闸管同样的情 况。因此，它的输人电压范围也不会比晶闸管宽，一旦掣住现象发将面临和晶闸會同样 的命运，布设计时要充分考虑到这一卓。