MOSFET几种典型驱动电路（二）

模拟电路

有一段时间，MOSFET并非模拟电路设计工程师的，因为模拟电路设计重视的性能参数，如晶体管的转导（transconductance）或是电流的驱动力上，MOSFET不如BJT来得适合模拟电路的需求。它与MOSFET的转移特性相同，当栅极电压VGE小于开启电压VGE(th)时，IGBT处于关断状态。但是随著MOSFET技术的不断演进，今日的CMOS技术也已经可以符合很多模拟电路的规格需求。再加上MOSFET因为结构的关系，没有BJT的一些致命缺点，如热***（thermal runaway）。另外，MOSFET在线性区的压控电阻特性亦可在集成电路里用来取代。

随著半导体制造技术的进步，对于整合更多功能至单一芯片的需求也跟著大幅提升，此时用MOSFET设计模拟电路的另外一个优点也随之浮现。台湾聚积MBI5024,MBI5026,日本东芝TB62726的作用：LED驱动芯片，16位移位锁存器（主要用于室外模组）。为了减少在印刷电路板（Printed Circuit Board,PCB）上使用的集成电路数量、减少封装成本与缩小系统的体积，很多原本***的类比芯片与数位芯片被整合至同一个芯片内。MOSFET原本在数位集成电路上就有很大的竞争优势，在类比集成电路上也大量采用MOSFET之后，把这两种不同功能的电路整合起来的困难度也显著的下降。另外像是某些混合信号电路（Mixed-signal circuits），如类比/数位转换器（Analog-to-Digital Converter,ADC），也得以利用MOSFET技术设计出效能更好的产品。

为什么在led驱动电源中要尽量使用mosfet器件

LED驱动电源是否一定要用(mosfet器件)MOS管应从产品性价比、系统来散热（包括电源本身和灯具）几方面考虑，并不一定要求LED电源要用MOS管：

1、从散源热角度考虑：LED驱动电源和LED灯珠既是热源体又是受热体，根据多年设计经验，我们赛明源电源在设计30W以上电源时全部使用MOS管与控制IC分离方案。IGBT的控制、驱动及保护电路等应与其高速开关特性相匹配,另外,在未采取适当的防静电措施情况下,G—E断不能开路。因为百，就现有技术（截止2015年）内置MOS管方案超过30W以上电源散热就是问题，系统很难保证其稳定性；

2、从度性价比上考虑：在设计30W以下LED电源时，赛明知源电源有些采用内置MOS管方案道，因为这种方案已经成熟，散热不是问题，系统稳定性较高。小功率LED电源可以不用考虑使用MOS，再说内置MOS方案EMC指标很容易通过。

什么叫液晶显示屏的电力学特点

电力学特点：液晶显示屏分子结构为长细杆状构造，增加轴方位有旋光性(Dipole)，也就是这个分子结构的一端带正电荷一端带负电荷，因此大家对这一液晶显示屏分子结构加工作电压能够使它产生偏移。

如下图试验，2个平行面玻璃正中间添加液晶显示屏，两边再加工作电压，当【不用工作电压】和【加工作电压】时，液晶显示屏分子结构会各自【躺】在玻璃上或【站】在玻璃上。