对IGBT驱动电路有什么要求

IGBT对驱动电路的要求：

(1)提供适当的正反向电压，使IGBT能可靠地开通和关断。当正偏压增大时IGBT通态压降和开通损耗均下降，驱动ic厂家排名，但若UGE过大，则负载短路时其IC随UGE增大而增大，对其安全不利，使用中选UGEν15V为好。负偏电压可防止由于关断时浪涌电流过大而使IGBT误导通，一般选UGE=-5V为宜。

(2)IGBT的开关时间应综合考虑。快速开通和关断有利于提高工作频率，惠东驱动ic厂家，减小开关损耗。但在大电感负载下，IGBT的开频率不宜过大，因为高速开断和关断会产生很高的尖峰电压，及有可能造成IGBT自身或其他元件击穿。

(3)IGBT开通后，驱动电路应提供足够的电压、电流幅值，使IGBT在正常工作及过载情况下不致退出饱和而损坏。

(4)IGBT驱动电路中的电阻RG对工作性能有较大的影响，RG较大，有利于***IGBT的电流上升率及电压上升率，但会增加IGBT的开关时间和开关损耗;RG较小，会引起电流上升率增大，使IGBT误导通或损坏。RG的具体数据与驱动电路的结构及IGBT的容量有关，一般在几欧～几十欧，小容量的IGBT其RG值较大。

(5)驱动电路应具有较强的抗干扰能力及对IG2BT的保护功能。IGBT的控制、 驱动及保护电路等应与其高速开关特性相匹配，另外，在未采取适当的防静电措施情况下，G—E断不能开路。

?MOS管驱动要求

良好的MOSFET驱动电路需要满足以下要求：

1、开关管开启瞬时，驱动电路应能提供足够大的充电电流，使MOSFET栅源极之间的电压迅速上升到所需的值，以保证开关管能迅速开启，手机屏驱动ic厂家***，且无高频振荡沿上升方向。

2、开关导通期间的驱动电路能够保证MOSFET栅源间电压的稳定和可靠导通。

3、关断瞬时驱动电路为MOSFET栅源极间电容电压的快速泄放提供了尽可能低的阻抗，保证了开关管的快速关断。

4、驱动电路结构简单可靠，损耗小。

5、视情况实行隔离。

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