IGBT的驱动电路特点（二）

IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。

特点：击穿电压可达1200V，集电极饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融合了这两种器件的优点，l步进电机驱动ic芯片，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，驱动ic芯片电路，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。

若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOS 截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件，在它的栅极—发射极间施加十几V的直流电压，只有在u级的漏电流流过，基本上不消耗功率。

用什么直流电机驱动芯片（二）

2 ML4428原理图及功能实现

ML4428电机控制器不用霍尔传感器就可为Y形无刷直流电机(BLDC)提供起动和调速所需的各种功能。它采用28脚双列表面SOIC封装，它的内部框图如图1所示〔1〕，ML4428使用锁相环技术，从电机线圈检测反电势，确定换向次序；采用专门的反电势检测技术，可实现三相无刷直流换向且不受PWM噪声及电机缓冲电路的影响；采用了检查转子位置并准确对电机加速的起动技术，确保起动时电机不会反转并可缩短起动时间。

2.1 反电势检测信号的获得

无位置传感器无刷直流电动机的控制与有位置传感器无刷直流电机控制的根本区别就是利用反电势的波形寻找换向点。当永磁无刷直流电动机运转时，各相绕组的反电动势(EMF)与转子位置密切相关。由于各相绕组是交替导通工作的，在某相不导通的时刻，其反电动势波形的某些特殊点，可代替转子位置传感器的功能，得到所需要的信息。

由于对于单相反电动势波形图，反电动势过零点30°处对应绕组的换向信号，找出反电动势过零点，博罗驱动ic芯片，即反电动势检测的任务〔2〕。基于这一原理，在该芯片内设计了一个独特的反电势检测电路(见图2)，由于有了中点模拟电路，不需从电机三相绕组中引出中线

驱动芯片一般起驱动作用，恩，就是把输入的弱百电信号放大成足够强，度适合于外部设备的强电信号。需要安培级的驱动电流一般是驱动电知机或者电力电子设备等等，根据具体用途才可以选择具体的芯片，有耐压，稳态/暂态性能等等道要求。

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