耐久性测试项目（Endurance test items ）Endurance cycling test， Data retention test①周期耐久性测试（Endurance Cycling Test ）
目的: 评估非挥发性memory器件在多次读写算后的持久性能
Test Method: 将数据写入memory的存储单元，在擦除数据，重复这个过程多次
测试条件: 室温，或者更高，每个数据的读写次数达到100k~1000k
具体的测试条件和估算结果可参考以下标准
MIT-STD-883E Method 1033
②数据保持力测试（Data Retention Test）
目的: 在重复读写之后加速非挥发性memory器件存储节点的电荷损失
测试条件: 在高温条件下将数据写入memory 存储单元后，徐闻车载数字，多次读取验证单元中的数据
失效机制：150℃
具体的测试条件和估算结果可参考以下标准：
MIT-STD-883E Method 1008.2
MIT-STD-883E Method 1033
在了解上述的IC测试方法之后，IC的设计制造商就需要根据不用IC产品的性能，用途以及需要测试的目的，选择合适的测试方法，车载数字音频解析，的降低IC测试的时间和成本，从而有效控制IC产品的质量和可靠度。
随着集成电路产业快速发展，集成电路的集成度越来越高，内部结构也越来越复杂，对于测试的要求也越来越高。集成电路测试技术作为保障集成电路性能、质量的重要技术之一也得到了很快的发展。直流参数测试是集成电路测试技术的重要组成部分，能够快速有效的检测芯片的性能，受到集成电路测试行业的高度重视。实现了一种大功率直流参数测试的研制，可以实现高电压、大电流的直流参数测试，具有很高的测试精度，而且具有一定的通用性。
首先根据文献资料分析本课题研究的背景以及意义，介绍了集成电路测试系统组成、分类以及国内外的发展状况。介绍了集成电路直流参数测试的基本原理与方法，在此基础上分析了大功率模拟集成电路直流参数测试的设计需求，车载 数字收音机，提出了设计需要实现的功能与设计指标，构建了大功率模拟集成电路直流参数测试实现的原理方案;设计了接口控制模块、逻辑控制模块与精密测量单元，详细分析了精密测量单元的工作原理，并搭建了具体的硬件电路;根据硬件所需要实现的测试功能，设计了测试底层驱动函数，提供给应用软件测试函数接口实现可编程测试，并对测试进行了软件校正;后文章给出了功能测试数据与报告，分析了集成运算放大器的测试原理和方法，并给出了测试过程与测试数据，表明测试性能达到了比较好的效果。设计的大功率模拟直流参数测试模块，已经被广东某集成电路制造企业使用，使用效果表明测试模块性能稳定，通用性强，成本低，特别适合国内集成电路企业的应用，车载数字功放芯片选用，具有比较高的实用价值。
尺寸缩小有其物理限制
不过，制程并不能无限制的缩小，当我们将晶体管缩小到 20 奈米左右时，就会遇到量子物理中的问题，让晶体管有漏电的现象，抵销缩小 L 时获得的效益。作为改善方式，就是导入 FinFET（Tri-Gate）这个概念，如右上图。在 Intel 以前所做的解释中，可以知道藉由导入这个技术，能减少因物理现象所导致的漏电现象。
（Source：www.slideshare.net）
更重要的是，藉由这个方法可以增加 Gate 端和下层的接触面积。在传统的做法中（左上图），接触面只有一个平面，但是采用 FinFET（Tri-Gate）这个技术后，接触面将变成立体，可以轻易的增加接触面积，这样就可以在保持一样的接触面积下让 Source-Drain 端变得更小，对缩小尺寸有相当大的帮助。
后，则是为什么会有人说各大厂进入 10 奈米制程将面临相当严峻的挑战，主因是 1 颗原子的大小大约为 0.1 奈米，在 10 奈米的情况下，一条线只有不到 100 颗原子，在制作上相当困难，而且只要有一个原子的缺陷，像是在制作过程中有原子掉出或是有杂质，就会产生不的现象，影响产品的良率。
如果无法想象这个难度，可以做个小实验。在桌上用 100 个小珠子排成一个 10×10 的正方形，并且剪裁一张纸盖在珠子上，接着用小刷子把旁边的的珠子刷掉，后使他形成一个 10×5 的长方形。这样就可以知道各大厂所面临到的困境，以及达成这个目标究竟是多么艰巨。
随着三星以及台积电在近期将完成 14 奈米、16 奈米 FinFET 的量产，两者都想争夺 Apple 下一代的 iPhone 芯片代工，我们将看到相当精彩的商业竞争，同时也将获得更加省电、轻薄的手机，要感谢摩尔定律所带来的好处呢。
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