数字IC设计常用的数制换算？

1、几种常用数制

1.1、十进制

十进制的每一位由0~9十个数码表示，低位和相邻高位之间的关系是“逢十进一”。计数方式：0→1→。。。→9→10→11→。。。→19→20→21→。。。→29→30→31。。。

1.2、二进制

二进制的每一位由0、1表示，低位和相邻高位之间的关系是“逢二进一”。计数方式：0→1→10→11→100→101。。。

1.3、八进制

八进制的每一位由0~7表示，低位和相邻高位之间的关系是“逢八进一”。计数方式：0→1→。。。→7→10→11→。。。→17→20→21→。。。→27→30→31→。。。

1.4、十六进制

十六进制的每一位由0~9、A、B、C、D、E、F十六数码表示，低位和相邻高位之间的关系是“逢十六进一”。计数方式：0→1→.。。。→9→A→B→C→D→E→F→10→11→。。。1F→20→21→。。。→2F→30→31。。。

2、不同数制之间的转换

2.1、二进制与十进制转换

2.1.1 二-十转换

将二进制数的第N位数值乘以第N位的权重，其中第N位的权重为2?（注：m位二进制数从右向左分别记为第0,1，。。。，m-1位，位是第0位，位是第m-1位），然后将相乘的结果按十进制数相加，就可以得到等值的十进制数。

举个栗子：（101）?=1×22 0×21 1×2?=（5）?? ，这个二进制数第2位是1，它的权重是22，相乘为1×22；对Astro而言，在detailrouting之后，用starRCXT参数提取，生成的E。位是0，它的权重是21，相乘为0×21；第0位是1，它的权重是2?，相乘为1×2?，后将每一位的乘积按十进制运算相加。

IC产品的温馨提示

提示：湿度总是困扰在电子系统背后的一个难题。不管是在空气流通的热带区域中，还是在潮湿的区域中运输，潮湿都是显著增加电子工业开支的原因。由于潮湿敏***元件使用的增加，诸如薄的密间距元件(fine-pitch device)和球栅阵列(BGA, ballgrid array)使得对这个失效机制的关注也增加了。Hercules通过提供快的运行时间和高速有效的纠错（debugging）来缩短IC设计的周期。基于此原因，电子制造商们必须为预防潜在灾难***高昂的开支。

吸收到内部的潮气是半导体封装问题。当其固定到PCB 板上时，回流焊快速加热将在内部形成压力。这种高速膨胀，取决于不同封装结构材料的热膨胀系数（CTE）速率不同，可能产生封装所不能承受的压力。而CMOS工艺主要用在5V以下的低电压环境，并且持续朝低电压方向发展。当元件暴露在回流焊接期间升高的温度环境下，陷于塑料的表面贴装元内部的潮湿会产生足够的蒸汽压力损伤或毁坏元件。

常见的失效模式包括塑料从芯片或引脚框上的内部分离(脱层)、金线焊接损伤、芯片损伤、和不会延伸到元件表面的内部裂纹等。在一些极端的情况中，裂纹会延伸到元件的表面；严重的情况就是元件鼓胀和爆裂(叫做“爆米花”效益)。尽管现在，进行回流焊操作时，在180℃ ~200℃时少量的湿度是可以接受的。后，还需要了解数字电路与模拟电路的本质区别，这将会帮助我们融汇贯通所学的知识。然而，在230℃ ~260℃的范围中的无铅工艺里，任何湿度的存在都能够形成足够导致***封装的小（爆米花状）或材料分层。

必须进行明智的封装材料选择、仔细控制的组装环境和在运输中采用密封包装及放置干燥剂等措施。实际上国外经常使用装备有射频标签的湿度跟踪系统、局部控制单元和专用软件来显示封装、测试流水线、运输/操作及组装操作中的湿度控制。6、静态时序分析——STAStaticTimingAnalysis（STA），静态时序分析，验证范畴，它主要是在时序上对电路进行验证，检查电路是否存在建立时间（setuptime）和保持时间（holdtime）的违例（violation）。②THB: 加速式温湿度及偏压测试（Temperature Humidity Bias Test ）

目的: 评估IC产品在高温，高湿，偏压条件下对湿气的抵抗能力，加速其失效进程测试条件: 85℃，85%RH, 1.1 VCC, Static bias

IC半导体的基础知识(二)

本征半导体 完全纯净的、具有完整晶体结构的半导体，称为本征半导体。

硅或锗是四价元素，其外层电子轨道上有四个价电子。在本征半导体的晶体结构中，相邻两个原子的价电子相互共有，即每个原子的四个价电子既受自身原子核的束缚，又为相邻的四个原子所共有；每两个相邻原子之间都共有一对价电子。这种组合方式称为共价键结构，图5-1为单晶硅共价键结构的平面示意图。后则是确立这颗IC的实作方法，将不同功能分配成不同的单元，并确立不同单元间链接的方法，如此便完成规格的制定。

在共价键结构中，每个原子的外层虽然具有八个电子而处于较为稳定的状态，但是共价键中的价电子并不像绝缘体中的电子被束缚得那样紧，在室温下，有数价电子由于热运动能获得足够的能量而脱离共价键束缚成为自由电子。

当一部分价电子挣脱共价键的束缚而成为自由电子后，共价键中就留下相应的空位，这个空位被称为空穴。原子因失去一个价电子而带正电，也可以说空穴带正电。在本征半导体中，电子与空穴总是成对出现的，它们被称为电子空穴对。

如果在本征半导体两端加上外电场，半导体中将出现两部分电流：一是自由电子将产生定向移动，形成电子电流；一是由于空穴的存在，价电子将按一定的方向依次填补空穴，亦即空穴也会产生定向移动，形成空穴电流。所以说，半导体中同时存在着两种载流子(运载电荷的粒子为载流子)——电子和空穴，这是半导体导电的特殊性质，也是半导体与金属在导电机理上的本质区别。常使用的HDL有Verilog、VHDL等，藉由程序代码便可轻易地将一颗IC地菜单达出来。

数字IC应用验证方真技术研究

应用验证是指导IC元器件在系统中的可靠应用的关键,***要关注应用系统对器件接口信号的影响,因此无论是采用纯软件还是软硬件协同的方式进行应用验证都需要先完成应用系统的PCB工作。本文提出的应用验证技术方案以基IBIS模型在多个平台进行PCB SI(Signal Integrity)的方式提取出所需的数据,实现对系统应用环境的模拟;在此基础上通过软件和软硬件协同两种方法来实现数字IC器件的应用验证。第0位是1，它的权重是2?，相乘为1×2?，后将每一位的乘积按十进制运算相加。为保证应用验证的顺利进行,对方案中涉及到的IBIS建模、PCB SI和S参数的提取及等技术进行了研究。

提出的应用验证技术方案的指导下,以SRAM的应用验证为例进行了相关的技术探索。首先对IBIS模型建模技术进行了深入研究,并完成了SRAM以及80C32等相关IC器件的IBIS模型建模工作;接着基于IBIS模型进行PCB SI,模拟了SRAM的板级应用环境并提取了应用验证所需的数据;后分别对适用于SRAM的软件平台和软硬件协同平台进行了相关设计,并完成了SRAM的应用验证。NanoSim(Star-SIMXT)NanoSim集成了业界的电路技术，支持Verilog-A和对VCS器的接口，能够进行电路的工具，其中包括存储器和混合信号的。通过对SRAM的应用验证,证明了本文所提出的应用验证技术方案的可行性。