兴之扬316不锈钢网片小编给大家介绍什么是二氧化硅的湿式蚀刻：

在微电子组件制作应用中，二氧化硅的湿式蚀刻通常采用HF溶液加以进行(5)。而二氧化硅可与室温的HF溶液进行反应，但却不会蚀刻硅基材及复晶硅。反应式如下：SiO2 6HF=H2 SiF6 2H2O

由于HF对二氧化硅的蚀刻速率相当高，在制程上很难控制，因此在实际应用上都是使用稀释后的HF溶液，或是添加NH4F作为缓冲剂的混合液，来进行二氧化硅的蚀刻。NH4F的加入可避免氟化物离子的消耗，以保持稳定的蚀刻速率。而无添加缓冲剂HF蚀刻溶液常造成光阻的剥离。典型的缓冲氧化硅蚀刻液(BOE:BufferOxideEtcher)(体积比6:1之NH4F(40%)与HF(49%))对于高温成长氧化层的蚀刻速率约为1000?/min。

在半导体制程中，二氧化硅的形成方式可分为热氧化及化学气相沉积等方式；而所采用的二氧化硅除了纯二氧化硅外，尚有含有杂质的二氧化硅如BPSG等。然而由于这些以不同方式成长或不同成份的二氧化硅，其组成或是结构并不完全相同，因此HF溶液对于这些二氧化硅的蚀刻速率也会不同。但一般而言，高温热成长的氧化层较以化学气相沉积方式之氧化层蚀刻速率为慢，因其组成结构较为致密。

兴之扬吸尘器不锈钢网片小编给大家介绍什么是铝的湿式蚀刻:

铝或铝合金的湿式蚀刻主要是利用加热的磷酸、HNO3、醋酸及水的混合溶液加以进行(1)。典型的比例为80%的磷酸、5%的HNO3、5%的醋酸及10%的水。而一般加热的温度约在35°C-45°C左右，温度越高蚀刻速率越快，一般而言蚀刻速率约为1000-3000?/min，而溶液的组成比例、不同的温度及蚀刻过程中搅拌与否都会影响到蚀刻的速率。

蚀刻反应的机制是藉由HNO3将铝氧化成为氧化铝，接着再利用磷酸将氧化铝予以溶解去除，如此反复进行以达蚀刻的效果。

在湿式蚀刻铝的同时会有氢气泡的产生，这些气泡会附着在铝的表面，而局部地***蚀刻的进行，造成蚀刻的不均匀性，可在蚀刻过程中予于搅动或添加催化剂降低接口张力以避免这种问题发生。

兴之扬蚀刻电视304不锈钢网小编给大家介绍腐蚀疲劳是什么？

腐蚀疲劳是在腐蚀介质与循环应力的联合作用下产生的。这种由于腐蚀介质而引起的抗腐蚀疲劳性能的降低，称为腐蚀疲劳。疲劳***的应力值低于屈服点，在一定的临界循环应力值（疲劳极限或称疲劳寿命）以上时，才会发生疲劳***。而腐蚀疲劳却可能在很低的应力条件下就发生破断，因而它是很***的.　　影响材料腐蚀疲劳的因素主要有应力交变速度、介质温度、介质成分、材料尺寸、加工和热处理等。增加载荷循环速度、降低介质的PH值或升高介质的温度，都会使腐蚀疲劳强度下降。材料表面的损伤或较低的粗糙度所产生的应力集中，会使疲劳极限下降，从而也会降低疲劳强度。