镀膜工艺流程中工艺参数的控制和对膜层沉积的影响：

弧靶电流：弧靶电流越大，靶材蒸发量越大，靶面温度越高，冷却越差，弧靶产生的液滴大颗粒越多，膜层外观越差，膜层中的缺陷越多。

本底漏率：本底漏率是指真空室在未加入气体单位之前本身的单位漏率，漏率越大，进入炉内的杂气就越多，不管真空度多高，这会严重影响镀膜过程中炉内气氛的纯度和工件表面的洁净度，会***膜层的结合力和膜层颜色的纯度。

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物理q相沉积法真空镀膜技术（由于这种方法基本上都是处于真空环境下进行的，因此称它们为真空镀膜技术）。真空镀膜技术是一种新颖的材料合成与加工的新技术，是表面工程技术领域的重要组成部分。

真空镀膜技术是使置待镀金属和被镀塑料制品位于真空室内，采用一定方法加热待镀材料，使金属蒸发或升华，金属蒸汽遇到冷的塑料制品表面凝聚成金属薄膜。虽然化学汽相沉积也采用减压、低压或等离子体等真空手段，但一般真空镀膜是指用物理的方法沉积薄膜。

PLD缺点：1、在镀膜过程中，薄膜会被沉积在薄膜上的等离子本管中产生的微粒、气态原子和分子降低质量，采取一定的措施后也

不能完全消除.2、在控制掺杂、生长平滑的多层膜等方面PLD生长部比较困难，因此进一步提高薄膜的质量会比较困难.